Cdd - ingénieur r&d en intégration de dispositifs rf et caractérisation électrique h/f

Description du poste

Votre travail portera principalement sur la caractérisation RF de transistors MOSFET destinés aux amplificateurs de puissance pour les applications Wi-Fi et 5G/6G. Vous devrez également développer et mettre en œuvre de nouvelles méthodologies de test et d’instrumentation, notamment en ce qui concerne le vieillissement des transistors. Les mesures seront majoritairement réalisées sur tranche (wafer), sous pointes RF.

Avec le soutien d’un ingénieur en caractérisation RF, vous aurez pour missions :

1. La mise en œuvre de la modélisation petit signal des transistors MOSFET à partir de mesures de paramètres S
2. La caractérisation du vieillissement des transistors MOSFET en conditions de fonctionnement DC et RF
3. La réalisation d’analyses physiques permettant d’expliquer les phénomènes de dégradation observés en lien avec les procédés technologiques utilisés
4. La modélisation du vieillissement des transistors et son impact sur les paramètres électriques DC et RF (petit signal)
5. Le développement de nouvelles méthodologies de caractérisation RF, incluant des signaux carrés AC, pertinents pour les applications numériques
6. Le reporting régulier auprès des équipes projet afin d’interpréter les résultats obtenus et de proposer des leviers d’amélioration des composants
7. L’évolution des bancs de test et le développement de logiciels de pilotage des instruments de mesure associés (type Agilent et Keysight)

Le projet sera mené en étroite collaboration avec des partenaires industriels.

Profil du candidat

Formation

8. Ingénieur (Bac+5) avec une forte expérience en caractérisation électrique de transistors RF, ou docteur (Bac+8) en radiofréquences.
9. Une bonne connaissance de la physique des semi-conducteurs est indispensable, ainsi qu’une maîtrise des outils de programmation et de traitement des données (Python/Mathcad).

Compétences techniques

10. Physique des semi-conducteursFonctionnement et modélisation des transistors MOSFET en régimes DC et RFProblématiques de fiabilité des transistors MOSFET
11. Caractérisation radiofréquence : mesures de paramètres S, techniques de dé-embedding, mesures en grand signal
12. Connaissances des composants actifs et passifs RF
13. Instrumentation pour la mesure de composants semi-conducteurs
14. Pilotage d’instruments de mesure (Python)
15. Maîtrise de l’anglais (écrit et oral) pour les rapports et présentations

Savoir être

16. Autonomie
17. Rigueur
18. Force de proposition
19. Ouverture d’esprit

Pourquoi rejoindre notre équipe ? Nous vous proposons :

20. Une expérience à la pointe de l’innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel,
21. Des formations pour renforcer vos compétences ou en acquérir de nouvelles,
22. Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,
23. Une participation aux transports en commun à hauteur de 85%,
24. Un équilibre vie privée – vie professionnelle reconnu,
25. Une politique diversité et inclusion,
26. Des restaurants d'entreprise,
27. Un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles,
28. Une épargne abondée par le CEA.

Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes handicapées, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation pour l'inclusion des travailleurs handicapés.