Ingénieur / ingénieure d'études-recherche-développement en industrie (h/f)

Mission :
Ces travaux de recherche seront menés dans le cadre du projet ANR BIRD.
Souvent considérés comme indésirables, les défauts dans les semi-conducteurs, tels que les lacunes ou les impuretés, peuvent réduire considérablement les performances des dispositifs optoélectroniques. Ces défauts peuvent également être fonctionnalisés pour conférer de nouvelles propriétés aux semi-conducteurs. Les matériaux 2D, connus pour leurs propriétés exceptionnelles telles que la capacité à former des hétéro-structures de Van der Waals, suscitent également un regain d'intérêt en raison des propriétés de leurs défauts. Plus précisément, la photoconductivité persistante (PPC), un phénomène dans lequel la conductivité photo-induite persiste après l'arrêt de l'illumination, a été observée pour durer des jours à température ambiante dans certains matériaux 2D. L'IRL GT-CNRS a récemment démontré pour la première fois que le h-BN 2D présente une PPC significative à température ambiante pendant plusieurs années après illumination UV, indiquant clairement que le h-BN peut être durablement converti d'isolant en conducteur. Ceci pourrait ouvrir la voie à l'utilisation du h-BN en optoélectronique et en particulier pour l'émission dans l'UV profond.

Activités :
Les objectifs du projet BIRD sont donc les suivants
- Comprendre le mécanisme sous-jacent de la transition, par illumination UV, d'isolant à conducteur dans le h-BN. Ce mécanisme est en effet encore inconnu, ce qui en entrave l'optimisation. Ainsi, l'identification des défauts à l'origine de la PPC sera fondamentale pour en maitriser leur formation au cours de leur épitaxie.
- Optimiser l'effet PPC géant et l'utiliser efficacement comme nouvelle méthode de dopage. Comprendre la physique qui sous-tend l'origine de la PPC géante dans le h-BN est une première condition pour y parvenir.
- Démontrer la réalisation d'homo-jonctions de h-BN en utilisant le processus de dopage photoinduit. L'intégration de puits quantiques BAlN/BN serait alors la prochaine étape vers des LED DUV hautement efficaces.