Cdd chercheur fabrication et caractérisation de matrices de détecteurs gan pour la proton thérapie h/f

Informations générales

Intitulé de l'offre : CDD Chercheur Fabrication et caractérisation de matrices de détecteurs GaN pour la proton thérapie H/F
Référence : UMR7073-MICPEF-089
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : VALBONNE
Date de publication : vendredi 27 juin 2025
Type de contrat : Chercheur en contrat CDD
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 octobre 2025
Quotité de travail : Complet
Rémunération : 3021,50€ bruts mensuels pour expérience inférieure à 2 ans
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : Indifférent
Section(s) CN : 08 - Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique

Missions

L’objectif de ce poste de post doc de 1 ans est de fabriquer et de caractériser des matrices 2D de détecteurs à base du semi-conducteur à large bande interdite GaN. En parallèle il faudra développer l’interfaçage avec l’électronique de commande et de lecture pour réaliser des matrices de 128xN. A partir du savoir-faire actuel, des améliorations seront apportées sur le nombre de lignes N, pour faire des matrices de plus grande taille, sur la réduction des éléments parasites qui seront identifiés, et si besoin il faudra proposer des solutions plus innovantes permettant une lecture plus rapide, voire instantanée de la matrice entière.

Activités

-Fabriquer des détecteurs en salle blanche et définition de nouveau jeu de masques optimisés pour les futures matrices de détecteurs.
-Caractériser les détecteurs et évaluer leurs performances en milieu médical
-Réaliser l’interfaçage des matrices GaN avec des circuits de lecture commerciaux en Si en relation avec les partenaires du projet.
-Caractériser les systèmes complets sous flux de protons au CAL, WPE et CYRCE.
-Publier les résultats dans des articles scientifiques et les présenter dans des conférences internationales.

Compétences

Le(la) candidate devra posséder une expérience de technologie en salle blanche
Il(elle) devra connaître la physique des semiconducteurs et des composants associés
Il(elle) aura une thèse dans un domaine lié à la technologie des composants semiconducteurs

Contexte de travail

Le CRHEA-CNRS est un laboratoire leader en France et en Europe pour l'épitaxie des matériaux à large bande interdite GaN, SiC et ZnO. Le CRHEA dispose également d'un très large panel d'équipements de caractérisations structurales, optiques et électriques permettant une analyse complète des matériaux mais aussi de composants électroniques et optoélectroniques. Ces dispositifs peuvent être fabriqué sur site dans la salle blanche CRHEATEC qui est un pôle régional pour les micro-nanotechnologies.
Ce projet ANR MATRIX rassemble le CRHEA et le Centre Antoine Lacassagne de Nice, en France, et l’université de Ruhr-Bochum et le centre de protonthérapie WPE en Allemagne. Le projet s’appuie aussi sur une solide expertise à l’IPHC de Strasbourg. L’objectif du projet est de fabriquer et développer un système de détection permettant une calibration rapide, précise et robuste du faisceau de protons, permettant de réaliser l’assurance qualité dans un premier temps mais aussi d’autres fonctions comme l’imagerie de protons dans un second temps. L’objectif général est d’améliorer les performances de la proton-thérapie, outil de pointe pour le traitement des cancers.


Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.