Post-doctorat h/f- ingénierie de dimension et de contrainte des inclusions ingan dans les nanofils de gan

Informations générales

Intitulé de l'offre : Post-doctorat H/F- Ingénierie de dimension et de contrainte des inclusions InGaN dans les nanofils de GaN
Référence : UMR9001-NOELEB-003
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : PALAISEAU
Date de publication : mardi 1 juillet 2025
Type de contrat : Chercheur en contrat CDD
Durée du contrat : 24 mois
Date d'embauche prévue : 1 octobre 2025
Quotité de travail : Complet
Rémunération : 3081,33 - 3519,85 euros, salaire brut mensuel selon expérience
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années
Section(s) CN : 08 - Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique

Missions

Etudier des stratégies d’ingénierie de dimension et de contrainte des inclusions InGaN dans les nanofils de GaN pour les applications photoniques

Activités

Les hétérostructures III-N sont particulièrement intéressantes pour les applications en communication et photonique. Elles permettent notamment une émission dans les gammes de longueur d’onde du visible. Cependant, l’un des principaux défi du déploiement des technologies à base de d’hétérostructures est lié à l'efficacité de l'émission à température ambiante.
Une approche intéressante consiste en l’intégration d’insertion épitaxiées d’InGaN dans le volume de nanofils de GaN. De par leur grand rapport d’aspect, les nanofils agissent comme un guide d’onde, ce qui tend à améliorer l'efficacité de la collecte des photons.
Les travaux de recherche visent à étudier les propriétés d’émission des insertion d’InGaN dans des nanofils de GaN, pour des applications photoniques. Les efforts se concentreront sur la croissance épitaxiale des nanofils intégrant les insertions d’InGaN, le développement de procédés post-croissance pour ajuster la longueur d’onde d’émission, et les caractérisations de base structurales et photoniques.
L’influence de divers paramètres expérimentaux (taille des inclusions d’InGaN, contrainte interne) sur les caractéristiques photoniques des systèmes seront étudiés.

Compétences

-Expérience en épitaxie des matériaux semi-conducteurs, idéalement les matériaux Nitrures.
-Expérience en caractérisations structurales et photoniques des matériaux semi-conducteurs.
-Expérience en micro-fabrication en salle blanche
-Bonne communication en anglais
-Expérience dans la rédaction de documents scientifiques (publications, rapports)

Contexte de travail

Les travaux seront réalisés au Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies localisé sur le plateau de Saclay. Le candidat H/F sera intégré au Département Matériaux et travaillera en étroite collaboration avec des équipes du Département Photonique.
Le C2N est équipé d’une grande salle blanche de micro-nano-fabrication et de deux plateformes dédiées à la croissance par épitaxie et la caractérisation des matériaux.
Le C2N possède une longue expertise dans la croissance des nanofils III-N par épitaxie par jets moléculaires et leur caractérisation, ainsi que dans la nano-fabrication et les tests de dispositifs à base de nanofils.


Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.