Ingénieur en simulation multiphysique pour les circuits intégrés 3d – cdd 36 mois - grenoble h/f

Rejoignez-nous pour façonner l'avenir de la microélectronique!

Dans le cadre de projets de recherche et développement sur les circuits intégrés 3D (Intégration 3D au CEA Leti ), nous recherchons un(e) ingénieur en simulation multiphysique pour rejoindre notre équipe. Vous aurez l'opportunité de travailler sur des projets de recherche et deséquipements de haute technologie.

Pourquoi nous rejoindre?
- Travailler sur des technologies de pointe et des projets de recherche à la frontière de la science et de l'ingénierie
- Intégrer un institut de recherche de premier plan composés d’experts passionnés et collaborer avec des partenaires industriels de renommée mondiale
- Accéder à un parc d’équipements à l’état de l’art mondial
- Acquérir une expérience pratique et de pointe dans le domaine de la science des matériaux et des technologies de « packaging » des circuits intégrés

Description du labo/équipe
Rejoignez notre équipe constituée d’une quarantaine d’experts pluridisciplinaires travaillant principalement sur la caractérisation électrique et la fiabilité des composants microélectroniques (mémoire avancée, CMOS avancé, puissance, quantique, RF, MEMS et intégration 3D). Nous collaborons sur des projets internes ainsi que sur des contrats avec des industriels nationaux et internationaux.


Objectifs
Vous accompagnez un ingénieur-chercheur sénior dans son activité en prenant, en particulier, en charge les études suivantes:
- Compréhension de l’influence de divers paramètres (désalignement, espacement, épaisseur du substrat…) sur la résistance et la capacité électrique du réseau d’interconnexions d’un empilement de plus de 2 couches, à base de TSV et de collage hybride.
- Compréhension de l’impact des nano-cavités présentes à l’interface de collage
- Étude de la zone d’exclusion autour des TSV haute densité avec la mise en place d’un modèle numérique calibré sur des mesures réalisées à l’ESRF ( ) du champ de déformation induit par des TSV haute densité (diamètre: 1 µm, hauteur: 6 µm).
- Analyse de données de micro-diffraction Laue issues de la thèse de Bassel Ayoub ( )
- Mise à jour d’un modèle numérique pour appréhender la dégradation par électromigration des interconnexions des circuits intégrés.
- Etude de l'impact de la réduction des dimensions des TSV et des plots de collage hybride sur la tenue à l’électromigration.

Vous consignerez le fruit de vos études dans des rapports détaillés et présenterez vos résultats à l'équipe de recherche et devant nos partenaires industriels. Cette opportunité vous permettra d'acquérir une expérience pratique et de pointe dans le domaine de la science des matériaux et des technologies de « packaging » des circuits intégrés du futur.