Au sein de l'Institut d'Électronique et des Systèmes (IES), le (la) candidat(e) sera chargé(e) de concevoir, développer les techniques et piloter la fabrication de composants lasers semiconducteurs à base d'antimoine. Plus particulièrement, elle/il participera activement dans la croissance par épitaxie par jets moléculaires (EJM) et assurera le suivi technique et la maintenance des équipements d'épitaxie.
Activités
Le (La) candidat(e) développera les procédés de croissance EJM, afin de déterminer les conditions optimales pour la fabrication des lasers.
Elle/Il effectuera et supervisera la conduite des expériences, traitera les données expérimentales et interprétera les résultats en relation avec les objectifs du projet de recherche. Ainsi le(la) candidat(e) sera amené(e) à effectuer des études structurales, électriques et optiques des dispositifs réalisés.
Elle/Il devra également assurer la maintenance et le suivi régulier des équipements en lien avec les constructeurs et fournisseurs.
Compétences
- Niveau Ingénieur(e) ou titulaire d'un doctorat en physique appliquée, électronique, matériaux ou optoélectronique
- Expérience en épitaxie des matériaux semi-conducteurs, idéalement des antimoniures
- Maîtrise des techniques de caractérisation structurales (diffraction de rayons X, microscopie électronique à balayage, ) et des études électro-optiques de composants lasers.
- Connaissances approfondies en physique des semiconducteurs et des lasers à semiconducteurs.
- Compétences en rédaction scientifique (rapports, publications, présentations)
La maîtrise de l'anglais est obligatoire
Contexte de travail
Le projet OFCOC (Optical Frequency Comb On a Chip) vise à réaliser des peignes de fréquences optiques générés dans des matériaux non linéaires tel que le GaP et le SiGe. Une partie du projet consiste à intégrer directement des sources lasers émettant dans le moyen infrarouge (2-5 µm) sur des plateformes photoniques, afin de générer ces peignes de fréquences.
Ce poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST) et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du Ministère de l'Enseignement Supérieur et de la Recherche (MESR).
Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.
Le projet OFCOC (Optical Frequency Comb On a Chip) vise à réaliser des peignes de fréquences optiques générés dans des matériaux non linéaires tel que le GaP et le SiGe. Une partie du projet consiste à intégrer directement des sources lasers émettant dans le moyen infrarouge (2-5 µm) sur des plateformes photoniques, afin de générer ces peignes de fréquences.
Ce poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST) et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du Ministère de l'Enseignement Supérieur et de la Recherche (MESR).
Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.
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