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H/f post doc optoélectronique à base de nanocristaux infrarouges

Paris
CDD
CNRS
Publiée le 22 août
Description de l'offre

Informations générales

Intitulé de l'offre : H/F Post doc Optoélectronique à base de nanocristaux infrarouges
Référence : UMR7588-EMMLHU-027
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : PARIS 05
Date de publication : vendredi 22 août 2025
Type de contrat : Chercheur en contrat CDD
Durée du contrat : 14 mois
Date d'embauche prévue : 1 janvier 2026
Quotité de travail : Complet
Rémunération : Entre 2500 et 3500 Euros/months depending on experience
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années
Section(s) CN : 01 - Interactions, particules, noyaux du laboratoire au cosmos

Missions

L’objectif du projet est de concevoir, fabriquer et caractériser des composants optoelectroniques infrarouges fonctionnant dans la bande infrarouge courte et étendue (c’est-à-dire jusqu’à 2,5 µm) ainsi que dans le moyen infrarouge (3–5 µm).
Nous nous intéressons en particulier au contrôle de l’interaction lumière matiére dans ces composants en introduisant les couches actives dans des cavités photoniques. Le projet portera à la fois sur l’émission et la détection (augmentation de l’absorption) de lumiére (meilleur couplage au champ lointain). Un exemple d’objectif poursuivi est de rendre le spectre de ces composant reconfigurables post fabrication afin de rendre leur spectre agile.
Plus ponctuellement, les candidats participeront à des mesures au synchrotron en utilisant des méthodes telles que la spectroscopie XPS ou infrarouge.

Activités

•Fabrication d'un film mince de nanocristaux
•Mesures optiques pour la caractérisation du film mince (microscopie, ellipsométrie)
•Conception électromagnétique du dispositif à l'aide de logiciels tels que COMSOL
•Fabrication en salle blanche incluant la caractérisation optique et électronique
•Caractérisation optoélectronique du capteur infrarouge (I-V, spectre de photocourant, réponse temporelle, bruit, mesures cryogéniques)
•Des mesures ponctuelles au synchrotron pourraient également être nécessaires
•Présentation des résultats

Compétences

Le candidat devra avoir de solides connaissances en physique des semi-conducteurs. Une expérience dans l'un des domaines suivants serait souhaitable : fabrication en salle blanche, mesure du transport électronique dans des conditions cryogéniques, manipulation de nanocristaux colloïdaux. Vous n'avez pas besoin d'être un expert dans tous les domaines, mais soyez prêt à apprendre sur tous les aspects du projet.
Il est essentiel d'avoir publié des articles scientifiques pour postuler. Le candidat doit avoir une forte appétence pour le travail expérimental (développement de nouveaux instruments et mesures de caractérisation). Le projet est également très multidisciplinaire, impliquant la chimie, la physique de la microfabrication et l'instrumentation. Le candidat devra travailler au sein d'une équipe internationale, il est donc nécessaire de parler couramment anglais.

Contexte de travail

Ce projet s'inscrit dans le cadre des projets ERC AQDtive et ANR camIR (financés pour 3 ans) de l'équipe d'accueil, qui se concentrent sur l'étude des nanocristaux infrarouges et leur intégration dans des dispositifs. Les travaux seront réalisés à l'Institut des Nanosciences de Paris (INSP) au sein de l'équipe d'Emmanuel Lhuillier. Ils seront réalisés en collaboration avec l'ingénieur chimiste du laboratoire, les ingénieurs salles blanches de l'INSP et les autres étudiants de l'équipe. Le candidat doit donc être prêt à collaborer avec toutes ces équipes situées en région parisienne.

Publications from the group on the topic
1.The Rise of HgTe Nanocrystals for Infrared Optoelectronics, K. A. Sergeeva, Huichen Zhang, A. S. Portniagin, E. Bossavit, G. Mu, S. V. Kershaw, S. Ithurria, P. Guyot Sionnest, S. Keuleyan, C. Delerue, X. Tang, Andrey L. Rogach, E. Lhuillier, Adv Func Mater 34, 2405307 (2024).
2. Multiresonant Grating to replace Transparent Conductive Oxide Electrode for bias selected filtering of infrared photoresponse, Tung H. Dang, M. Cavallo, A. Khalili, C. Dabard, E. Bossavit, H. Zhang, N. Ledos, Y. Prado, X. Lafosse, C. Abadie, S. Ithurria, G. Vincent, Y. Todorov, C. Sirtori, A. Vasanelli, E. Lhuillier, Nano Lett 23, 8539 (2023)
3.Electric Field Distribution within a Van der Waals Heterostructure, D. Mastrippolito, M. Cavallo, E. Bossavit, C. Gureghian, A. Colle, T. Gemo, G. Strobbia, D. De Pesseroey, M. Paye, A. Khalili, H. Zhang, J. Biscaras, J. K. Utterback, P. Dudin, J. Avila, E. Lhuillier, D. Pierucci, Nano Lett 25, (2025).

Contraintes et risques

manipulation nanoparticules, rayons X et laser

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