(h/f)development of a “universal” multipurpose, sustainable virus sensor based on graphene-based field effector (gfet) concepts

Informations générales

Intitulé de l'offre : (H/F)Development of a “universal” multipurpose, sustainable virus sensor based on graphene-based field effector (GFET) concepts
Référence : UMR8520-HENHAP-009
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : VILLENEUVE D ASCQ
Date de publication : mardi 22 juillet 2025
Type de contrat : Chercheur en contrat CDD
Durée du contrat : 18 mois
Date d'embauche prévue : 1 octobre 2025
Quotité de travail : Complet
Rémunération : à partir de 3021,50 € selon expérience
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années
Section(s) CN : 08 - Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique

Missions

Les matériaux bidimensionnels (2D) sont très prometteurs pour les applications futures en nanoélectronique, les transistors à effet de champ (FET) étant des candidats idéaux pour la biodétection. Les FET sont des dispositifs à trois bornes qui utilisent un champ électrique pour contrôler le comportement électrique et la résistance d'un canal (ici constitué de graphène) entre deux électrodes. Le choix de l'emplacement de la grille revêt une importance capitale pour les applications de biodétection.1 Si l'utilisation d'une grille arrière continue de susciter l'intérêt de la communauté des capteurs, les capteurs à grille coplanaire1, 2 et capacitifs interdigités3, 4 ont commencé à dominer ce domaine. De plus, la taille du biorécepteur déterminera les performances de détection.
G-Virals envisagera des conceptions innovantes de GFET enterrés à grille arrière, coplanaires avec des éléctrodes interdigitées. Se concentrer sur l'identification des virus par séquençage de troisième génération permettra de répondre au besoin d'identifier le virus et à l'aspect polyvalent de l'appel à projets.

Activités

Dans le cadre du consortium du projet G-virals, l'objectif de ce post-doctorat consistera à développer un GFET à grille arrière robuste et fiable. Le gain du dispositif doit être amélioré afin d'augmenter la sensibilité des capteurs.
Les principales tâches seront les suivantes :
- Amélioration du processus de fabrication des FET à grille arrière (exploration de nouveaux diélectriques de grille afin de réduire leur épaisseur tout en maintenant un faible courant de fuite de grille)
- Fabrication de GFET à grille arrière
- Caractérisation électrique des GFET à grille arrière

Compétences

Dans le cadre du consortium du projet G-virals, l'objectif de ce post-doctorat consistera à développer un GFET à grille arrière robuste et fiable. Le gain du dispositif doit être amélioré afin d'augmenter la sensibilité des capteurs.
Les principales tâches seront les suivantes :
- Amélioration du processus de fabrication des FET à grille arrière (exploration de nouveaux diélectriques de grille afin de réduire leur épaisseur tout en maintenant un faible courant de fuite de grille)
- Fabrication de GFET à grille arrière
- Caractérisation électrique des GFET à grille arrière

Contexte de travail

Le candidat rejoindra le groupe CARBON de l'IEMN. L'IEMN est l'une des principales unités nationales de recherche dans le domaine de la microélectronique et des nanotechnologies. Le CNRS-IEMN dispose d'installations techniques exceptionnelles dans le domaine de la nanofabrication et de la caractérisation. Ses installations comprennent une salle blanche ISO6 de 1 600 m² équipée d'outils de nanofabrication, dont un nouveau réacteur MBE dédié à la croissance des TMD. La plateforme de caractérisation électrique DC et RF regroupe des équipements courants pour mesurer les performances des dispositifs électriques.
Le candidat fabriquera les dispositifs 2D dans les salles blanches ultramodernes de l'IEMN. Après la fabrication, il caractérisera leurs propriétés en courant continu dans le laboratoire de caractérisation de l'IEMN, qui est entièrement équipé de stations de test en courant continu et haute fréquence jusqu'à la gamme THz.
Ce projet permettra donc d'acquérir des connaissances avancées en nanofabrication et en caractérisation électrique de nanodispositifs novateurs.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.

Contraintes et risques

Rien à signaler