Étude Du Phénomène De Piège Dans Les Transistors Hemts Rf Gan : Caractérisation Électrique Et Simulation Physique
Description du poste:
Ce poste s’appuie le plus souvent sur des collaborations industrielles dans le cadre du pôle de compétitivité Mov’eo ou de l’Institut Carnot ESP.
Demande de candidature
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#J-18808-Ljbffr
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