Travail proposé
Le stage comprendra :
* La réalisation de mesures expérimentales en laboratoire (paramètres S, caractérisation du bruit, analyses RF en grand signal).
* La mise en relation des résultats expérimentaux et des modèles avancés, pour contribuer au développement de la prochaine génération de dispositifs RF en GaN sur silicium.
Compétences acquises
Ce stage permettra à l’étudiant de :
* Développer une expertise en caractérisation RF et en modélisation du bruit,
* Se former à l’utilisation d’outils TCAD avancés,
* Travailler sur des équipements de pointe,
* Évoluer au sein d’une équipe pluridisciplinaire et en interaction avec des chercheurs expérimentés.
Profil recherché
Étudiants de niveau Master ou école d’ingénieurs, avec un intérêt marqué pour la microélectronique, les dispositifs semi-conducteurs et leurs applications RF.
https://www.leti-cea.com/cea-tech/leti/english/Pages/What's-On/Press%20release/iedm-gan.aspx
https://www.eetimes.com/why-rf-technologies-should-consider-gan-over-silicon/
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En tant que stagiaire au CEA, vous aurez l'opportunité de travailler au sein d'un environnementde recherche de renommée mondiale. Nos équipes sont composées d'experts passionnés et dédiés, offrant un cadre propice à l'apprentissage et à la collaboration. Vous aurez accès à des équipements de pointe et à des ressources de recherche de premier ordre pour mener à bien vos missions.
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