Mission :
La mission du candidat IT consistera à fabriquer des dispositifs à semi-conducteur dans la centrale de Micro Nano Fabrication (CMNF) de l'Institut. Il y est question de la fabrication de photo-diode UTC sur substrat InP dans le but de la réalisation de source THz de puissance. Le candidat aura également en charge la caractérisation de ces photo-diodes UTC en DC, RF et photonique.
Activités :
Sur une base existante, l'objectif principal de l'activité consistera à optimiser très finement les étapes technologiques du procédé de fabrication de photo-diode UTC sur InP et de participer en continu à son développement ou à développer de nouveaux procédés. Le travail consistera en une caractérisation exhaustive en hyperfréquence de ces composants.
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