Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.
Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.
Implanté au coeur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.
Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :
- La conscience des responsabilités
- La coopération
- La curiosité Contexte
L'arrivée de la 5G, et la transition prochaine vers la 6G, introduisent de nouveaux défis en matière de performance et de fiabilité des transistors RF. En fonction des applications RF visées, nos partenaires industriels explorent différentes options technologiques pour répondre à ces exigences de plus en plus pointues, incluant diverses plateformes CMOS (telles que le RFSOI ou le FinFET), ainsi que des technologies BiCMOS. Il est donc essentiel d'évaluer les atouts et les limites de chaque approche afin de déterminer celle qui est la mieux adaptée à une application donnée. Cela nécessite une compréhension approfondie du comportement électrique et de la fiabilité des transistors utilisés dans les amplificateurs de puissance (PA) et les amplificateurs à faible bruit (LNA) en conditions de fonctionnement RF.
Description du poste
Votre travail portera principalement sur la caractérisation RF de transistors MOSFET destinés aux amplificateurs de puissance pour les applications Wi-Fi et 5G/6G. Vous devrez également développer et mettre en oeuvre de nouvelles méthodologies de test et d'instrumentation, notamment en ce qui concerne le vieillissement des transistors. Les mesures seront majoritairement réalisées sur tranche (wafer), sous pointes RF.
Avec le soutien d'un ingénieur en caractérisation RF, vous aurez pour missions :
La mise en oeuvre de la modélisation petit signal des transistors MOSFET à partir de mesures de paramètres S
La caractérisation du vieillissement des transistors MOSFET en conditions de fonctionnement DC et RF
La réalisation d'analyses physiques permettant d'expliquer les phénomènes de dégradation observés en lien avec les procédés technologiques utilisés
La modélisation du vieillissement des transistors et son impact sur les paramètres électriques DC et RF (petit signal)
Le développement de nouvelles méthodologies de caractérisation RF, incluant des signaux carrés AC, pertinents pour les applications numériques
Le reporting régulier auprès des équipes projet afin d'interpréter les résultats obtenus et de proposer des leviers d'amélioration des composants
L'évolution des bancs de test et le développement de logiciels de pilotage des instruments de mesure associés (type Agilent et Keysight)
Le projet sera mené en étroite collaboration avec des partenaires industriels.
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