La mission du candidat IT consistera à fabriquer des dispositifs à semi-conducteur dans la centrale de Micro Nano Fabrication (CMNF) de l'Institut. Il y est question de la fabrication de photo-diode UTC sur substrat InP dans le but de la réalisation de source THz de puissance. Le candidat aura également en charge la caractérisation de ces photo-diodes UTC en DC, RF et photonique.
Activités
Sur une base existante, l'objectif principal de l'activité consistera à optimiser très finement les étapes technologiques du procédé de fabrication de photo-diode UTC sur InP et de participer en continu à son développement ou à développer de nouveaux procédés. Le travail consistera en une caractérisation exhaustive en hyperfréquence de ces composants.
Compétences
Le candidat doit être titulaire d'un bac+5 avec un savoir au niveau des composants nanométriques destinés aux applications hyperfréquence et THz. Un savoir-faire en rapport à la fabrication de composant sur substrat InP serait appréciable.
Il doit avoir une bonne expérience de la technologie des composants en salle blanche et avoir mené à bien les différentes étapes technologiques inhérentes à la fabrication de dispositifs à semi-conducteur.
Les compétences attendues sont :
- Connaissance de la physique des semi-conducteurs et de leurs applications
- Connaissance de base en caractérisation en salle blanche
- Connaissance des techniques de fabrication en salle blanche
- Lithographie optique et électronique
- Gravure humide
- Gravure sèche RIE, ICP,…
- Traitement de surface
- Dépôt de métaux et diélectrique...
Des compétences dans le domaines de la caractérisation hyperfréquence sont demandées :
- Caractérisation des composants hyper fréquence III-V
- Caractérisation DC et hyper fréquence de 0.5 à 750 GHz
Contexte de travail
Les travaux seront menés au sein de l'équipe ANODE (Advanced Nanometric Device) de l'IEMN qui est spécialisé, en autre, sur la réalisation et la caractérisation de composant très haute fréquence. Les applications THz est l'une des spécialités du groupe.
L'activité sera essentiellement centrée sur un travail en salle blanche mais comprendra également des mesures des dispositifs réalisés en centrale de caractérisation de l'IEMN..
Il aura une formation spécifique à la sécurité relative en salle blanche et sera initié aux techniques particulières d'ordre technologique pour utiliser les différentes ressources disponibles.
L'IEMN est une Unité Mixte de Recherche associant le CNRS, l'Université de Lille, l'Université Polytechnique Hauts-de-France, Centrale Lille et l'ISEN JUNIA. Ses équipements de conception, fabrication et caractérisation de dispositifs se situent au meilleur niveau européen. L'institut regroupe environ 230 permanents (professeurs, chercheurs, ingénieurs et personnels administratifs) et environ 150 doctorants. Les recherches menées à l'IEMN couvrent un vaste domaine allant de la physique des matériaux et des nanostructures aux systèmes de télécommunications et à l'instrumentation acoustique et micro-ondes.
Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.
Les travaux seront menés au sein de l'équipe ANODE (Advanced Nanometric Device) de l'IEMN qui est spécialisé, en autre, sur la réalisation et la caractérisation de composant très haute fréquence. Les applications THz est l'une des spécialités du groupe.
L'activité sera essentiellement centrée sur un travail en salle blanche mais comprendra également des mesures des dispositifs réalisés en centrale de caractérisation de l'IEMN..
Il aura une formation spécifique à la sécurité relative en salle blanche et sera initié aux techniques particulières d'ordre technologique pour utiliser les différentes ressources disponibles.
L'IEMN est une Unité Mixte de Recherche associant le CNRS, l'Université de Lille, l'Université Polytechnique Hauts-de-France, Centrale Lille et l'ISEN JUNIA. Ses équipements de conception, fabrication et caractérisation de dispositifs se situent au meilleur niveau européen. L'institut regroupe environ 230 permanents (professeurs, chercheurs, ingénieurs et personnels administratifs) et environ 150 doctorants. Les recherches menées à l'IEMN couvrent un vaste domaine allant de la physique des matériaux et des nanostructures aux systèmes de télécommunications et à l'instrumentation acoustique et micro-ondes.
Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.
Contraintes et risques
Salle Blanche.
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