À propos de nous
L’ENSICAEN est un Établissement Public à caractère Scientifique, Culturel et Professionnel (EPSCP) placé sous la tutelle du ministère de l’enseignement supérieur et de la recherche. L’établissement a pour mission la formation initiale et continue des ingénieurs d’état. C’est également un centre de recherche qui héberge 6 unités de recherche. Doté d’une autonomie administrative et financière, l’ENSICAEN gère une population d’environ 200 agents (personnels BIATSS, enseignants chercheurs et chercheurs) et offre des parcours de formation pour 900 étudiants.
Notre établissement est fortement engagé dans une démarche de Développement Durable et de Responsabilité Sociétale (DD&RS), de qualité de vie au travail (QVCT), de certification qualité ISO 9001 et a obtenu le label HRS4R. Ces dynamiques sont intégrées à l’ensemble de nos services et de nos activités.
Consciente des enjeux d’aujourd’hui, l’ENSICAEN s’implique sur des problématiques industrielles et scientifiques innovantes, à forte valeur ajoutée et responsables.
Mission
Un contrat de post-doctorat, d’une durée de 9 mois, est à pourvoir au sein du laboratoire CIMAP. Dans le cadre de ce contrat sera réalisé une étude structurale, chimique et électronique à l’échelle sub-angstrom de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) à base de nitrure de Niobium (NbN) par microscopie électronique en transmission.
A post-doctoral contract, for a duration of 9 months, is available within the CIMAP laboratory. Transmission electron microscopy will be used for a structural, chemical, and electronic study of high electron mobility transistors (HEMTs) based on Niobium nitride (NbN) as part of this contract.
Projet N POLAR : contexte et objectifs
Le projet N POLAR vise au développement de nitrures III à polarité azote sur substrats de silicium par épitaxie par jets moléculaires. Les nitrures III à polarité N seront obtenus par inversion de polarité grâce à une fine couche métallique épitaxiale de NbN. L'inversion de polarité, plus précisément de la polarité métallique à la polarité azote, a été récemment démontrée par cette approche (projet ANR Niobium ANR-21-CE08-007 fini en mars 2025). Les travaux dans N POLAR porteront sur le développement et l'optimisation de ce procédé innovant (hétérostructures hybrides semi-conducteur/métal/semi-conducteur) afin d'étudier et de comprendre les propriétés des matériaux III-N à polarité N via une compréhension fine des mécanismes fondamentaux d’inversion de polarité par une approche multi-échelle. En effet, l’objectif du projet N POLAR est d'obtenir des hétérostructures III-N planaires à polarité N de haute qualité structurale et à faible concentration d'impuretés, déposés sur substrats de silicium pour développer des dispositifs HEMT pour des applications hautes fréquences (> 40 GHz).
Dans ce cadre, le projet N POLAR vise en particulier à utiliser les dernières avancées instrumentales de la technique de microscopie électronique en transmission pour des études structurale, chimique et électronique à l’échelle sub-angstrom d’hétérostructures à base de NbN afin de déterminer rapidement les conditions optimales pour obtenir les meilleures hétérostructures, non seulement vis-à-vis des relations interfaciales, mais surtout pour la croissance de dispositifs optimisés. Pour ces caractérisations structurales atomiques, Le laboratoire dispose d’un MET JEOL ARM200F Cold FEG corrigé (Cs) de dernière génération, équipé de détecteurs ADF/ABF, EDS et d’un spectromètre de perte d’énergie des électrons EELS GIF continuum équipé d'une caméra Gatan K3, offrant une gamme étendue pour l'investigation électronique locale (0-4000 eV) des interfaces.
Project N POLAR: context and objectives
The N POLAR project aims at developing nitrogen-polarity III nitrides on silicon substrates by molecular beam epitaxy. The N-polarity III nitrides will be obtained by polarity inversion using a thin epitaxial metal layer of NbN. The polarity inversion, more precisely from metal to nitrogen polarity, has recently been demonstrated by this approach (Niobium ANR project ANR-21-CE08-007 ended in March 2025). The work in N POLAR will focus on the development and optimization of this innovative process (hybrid semiconductor/metal/semiconductor heterostructures) in order to study and understand the properties of III-N with polarity N via a detailed understanding of the fundamental mechanisms of polarity inversion by a multi-scale approach. Indeed, the objective of the N POLAR project is to obtain planar III-N heterostructures with high structural quality and low impurity concentration, deposited on silicon substrates to develop HEMT devices for high frequency applications (> 40 GHz).
In this context, the N POLAR project aims in particular to use the latest instrumental advances in transmission electron microscopy techniques for structural, chemical and electronic studies at the sub-angstrom scale of heterostructures based on NbN in order to quickly determine the optimal conditions for obtaining the best heterostructures, not only for interfacial relationships, but especially for the growth of optimized devices. For these atomic structural characterizations, the laboratory has a latest-generation MET JEOL ARM200F Cold FEG corrected (Cs), equipped with ADF/ABF detectors, EDS and a continuum electron energy loss spectrometer EELS GIF equipped with a Gatan K3 camera, offering an extended range for the interface local electronic investigation (0-4000 eV).
Profil
Profil
Le candidat doit être titulaire d'un doctorat en physique ou en sciences des matériaux ; d'autres domaines avec une expérience dans les matériaux nitrurés peuvent être pris en considération. Néanmoins, des compétences et une grande expérience (pratique) en caractérisation par microscopie électronique en transmission sont indispensables.
The candidate must hold a PhD in physics or materials science; other fields with experience in nitride materials may be considered. However, skills and extensive practical experience in characterization by transmission electron microscopy are essential.
Détails du poste
Le poste est financé pour une durée de 9 mois et pourra débuter le 1er mars 2026. Le candidat retenu mènera ses recherches au Laboratoire CIMAP de l’Ensicaen – Université de Caen Normandie, sous la supervision de Magali Morales, coordinatrice du projet pour le laboratoire CIMAP.
The position is funded for a duration of 9 months and can start on March 1, 2026. The selected candidate will conduct his research at the CIMAP Laboratory of Ensicaen – University of Caen Normandy, under the supervision of Magali Morales, project coordinator for the CIMAP laboratory.
Contact et date limite
→ Date limite de candidature : 15 février 2026
→ Lieu de travail : CIMAP 6 Bd du maréchal Juin, 14050 Caen Cedex
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