Cifre - développement d'architectures 3d de produits mémoires à stockage de charges embarquées f/h

CIFRE - Développement d'architectures 3D de produits mémoires à stockage de charges embarquées F/H, Rousset

Développement de nouvelles architectures 3D permettant le gain en surface des parties analogues pour des produits mémoires embarquées à stockage de charges.

La complexité des systèmes dans les applications grand public s’accroît et exige de revisiter l’intégration des composants dans les circuits. De nouvelles solutions offrant plus de compacité et de performance doivent être recherchées, avec un coût de fabrication qui doit rester faible.

La diminution de la taille des composants périphériques, tels que les transistors haute tension (HV), reste compliquée, même s'il est possible de réduire la taille du point mémoire. L’approche « more Moore » conduit, dans le cas des transistors HV, à une chute drastique de la tension de claquage ou à une forte augmentation du courant de fuite statique. Pour éviter ces problèmes, il est nécessaire d'explorer de nouvelles architectures de transistors HV.

L’intégration de nouvelles solutions architecturales vise à faire évoluer les technologies vers la fabrication de produits toujours plus compétitifs. Des premières études ont montré la viabilité de l’intégration de transistors compactes (à grille verticale) pour des technologies mémoire de types microcontrôleurs. Ces nouveaux composants analogiques ont été intégrés avec succès, permettant d’obtenir les points mémoire les plus avancés du moment.

Ainsi, l’étude menée dans le cadre de cette thèse consistera à développer de nouvelles architectures utilisées dans un environnement mémoire non volatile embarquée (e-NVM). L’objectif est l’amélioration des paramètres électriques critiques tels que le courant de fuite (IOFF) et la tension de claquage (BV), sans augmentation de la surface totale.

Dans ce contexte, les avantages apportés par l’intégration 3D à faible coût seront étudiés, notamment à travers deux solutions complémentaires :

* Une solution compacte dite passive, visant à augmenter localement la résistance électrique des zones implantées via une nouvelle isolation verticale.
* Une solution compacte dite active (avec grille verticale), impliquant de nouvelles architectures de transistors N et P MOS avec sources planaires ou enterrées.

La simulation TCAD (Technology Computer Aided Design) sera utilisée pour prédire le comportement des solutions envisagées et définir les essais à réaliser sur des substrats de silicium en 200 mm à Rousset. Des caractérisations physiques et électriques seront également effectuées pour mettre en lumière les zones faibles des architectures et les optimiser.

Ces solutions visent à réaliser des gains significatifs en surface, tout en garantissant qu’elles n’impactent pas le fonctionnement des autres dispositifs, afin d’être intégrées sur de nouvelles plateformes.

Profil recherché :

* De formation Bac +5 en physique des semiconducteurs ou microélectronique.
* Rigoureux.se, dynamique, autonome.
* Maîtrise des procédés de fabrication de la microélectronique.
* Bon niveau en anglais.

Chez ST, nous sommes plus de 50 000 créateurs et fabricants de technologies microélectroniques, collaborant avec plus de 200 000 clients et de nombreux partenaires. Nous concevons des produits et solutions répondant à des défis technologiques, notamment pour une mobilité plus intelligente, une gestion efficace de l’énergie, et le déploiement de l’Internet des objets (IoT) et de la 5G.

ST a reçu les certifications Top Employer France et HappyTrainees 2023, témoignant de notre engagement envers nos collaborateurs. Nous proposons un plan de formation pour accompagner votre évolution, ainsi que divers avantages d’un grand groupe : mutuelle haut de gamme, CSE, intéressement, CET, etc.

Situé à Rousset, notre site de plus de 3000 personnes, avec 30 nationalités, offre de nombreuses perspectives d’évolution dans un environnement alliant excellence technologique, respect de l’environnement et qualité de vie, au pied de la Sainte Victoire, à proximité d’Aix-en-Provence et Marseille.

Nous rassemblons 50 000 personnes dans 40 pays, représentant 118 nationalités.

Nous formons une seule et même ST, où la diversité et l’inclusion sont des valeurs fondamentales. Nous travaillons chaque jour pour un lieu de travail plus équitable et inclusif, où chacun peut réaliser son potentiel.

#J-18808-Ljbffr