Nous rejoindre, pour quoi faire ?
Les micro-LEDs à base de nitrure de gallium (GaN), initialement développées pour les applications dans les écrans, font désormais l’objet d’études approfondies pour leur utilisation dans la communication optique visible haut débit. Cependant, ces composants présentent encore des limitations, notamment une perte d’efficacité aux petites tailles et une limitation en bande passante toujours mal comprise. L’objectif principal de cette alternance sera de mettre en place et réaliser des caractérisations électro-optiques afin d’analyser les mécanismes influençant ces deux paramètres.
Une première étude consistera à décorréler l’impact des effets thermiques et du courant sur les performances en fréquence des micro-LEDs. Dans ce but, un analyseur de réseau vectoriel (VNA) pulsé sera acquis et intégré aux bancs de caractérisation existants. Cet équipement permettra de mesurer la réponse fréquentielle des micro-LEDs tout en limitant leur échauffement.
Par ailleurs, un banc de microscopie confocale nous permettra d’accéder à des informations locales de nos émetteurs. Nous souhaitons mettre en place et réaliser des cartographies spatiales de bandes passantes sur des µLEDs et les corréler à des cartographies hyper-spectrales d’émission. Ce banc permettant également des mesures en temps résolus extrêmement sensibles à l’aide d’un SPAD (Single Photon Avalanche Diode), nous corrèlerons ces mesures temporelles aux caractérisations fréquentielles obtenues avec le VNA.
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