Ingénieur filière technologique sur les composants de puissance à semi-conducteur grand gap h/f

Informations générales Entité de rattachement Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat. Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs. Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international. Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales : • La conscience des responsabilités • La coopération • La curiosité Référence 2023-28337 Description de la Direction Le Leti, institut de recherche technologique de Cea Tech, a pour mission d'innover et de transférer les innovations à l'industrie. Son cœur de métier réside dans les technologies de la microélectronique, de miniaturisation des composants, d'intégration système, et d'architecture de circuits intégrés, à la base de l'internet des objets, de l'intelligence artificielle, de la réalité augmentée, de la santé connectée. Le Leti façonne des solutions différenciantes, sécurisées et fiables visant à augmenter la compétitivité de ses partenaires industriels par l'innovation technologique. Description de l'unité Le laboratoire LAPS est spécialisé dans le développement de composants de puissance en matériau semi-conducteur à large bande interdite, parmi lesquels le nitrure de gallium GaN et le carbure de silicium SiC. Ces composants ont des applications en électronique de puissance car ils peuvent être utilisés à plus haute température et à plus forte puissance que les composants à base de silicium. Le leti est fortement impliqué dans le développement des futures générations de ce type de composants. Nos équipes supportent des acteurs majeurs du domaine avec la mise en place de lignes pilote de fabrication de composants GaN chez STMicroelectronics et de fabrication de substrats SiC chez SOITEC. Domaine Technologies micro et nano Contrat CDD Intitulé de l'offre Ingénieur filière technologique sur les composants de puissance à semi-conducteur grand gap H/F Statut du poste Cadre Durée du contrat (en mois) 36 Description de l'offre Au sein d'une équipe d'une vingtaine d’ingénieurs-chercheurs pluridisciplinaires et en relation avec des partenaires industriels et académiques de premier rang, vous serez en charge d’une filière de fabrication de nouveaux composants de puissance à semi-conducteur à large bande interdite. Plus particulièrement, vous contribuerez au développement de nouvelles générations de transistors de puissance à base de GaN sur silicium ou sur d’autres substrats alternatifs. Vos principales activités seront les suivantes : - Suivi des lots tout au long de leur fabrication en salle blanche et en lien avec les chefs de projet et les responsables intégration : définition de l’enchaînement des étapes de fabrication et sélection des variantes technologiques, contrôle et analyse de la conformité des étapes au cours de la fabrication ; rédaction du rapport de fin de fabrication du lot. - Support au montage des nouveaux flows d’intégration, en lien avec les responsables intégration et les pilotes engineering de la plateforme de fabrication : contribution à l’établissement du cahier des charges de la filière, à la définition du descriptif des masques et de l’enchaînement des étapes technologiques, à la définition des actions de développement des procédés et modules technologiques. Nanotechnology Profil du candidat De formation supérieure Ingénieur dans le domaine de la micro-électronique avec une large connaissance des technologies de fabrication salle blanche, vous justifierez d’une 1ière expérience dans une mission de recherche et développement. Votre anglais est courant. Site Grenoble Localisation du poste France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38) Ville 17 avenue des martyrs 38000 Grenoble Critères candidat Formation recommandée BAC 5/8 en microélectronique Disponibilité du poste 02/11/2023