Vos missions en quelques mots Sujet de thèse : Le CNRS-Grenoble INP-Université Grenoble Alpes recherche un candidat hautement motivé pour un poste de doctorat entièrement financé (36 mois) axé sur le dépôt de couches minces pour des applications photoniques. Ce poste s'inscrit dans le cadre du projet « Silicon carbide photonic integrated circuit (SiCPIC) », un prestigieux réseau doctoral européen financé par le programme de recherche et d'innovation Horizon Europe de l'Union européenne dans le cadre de l'action Marie Skłodowska-Curie (MSCA), convention de subvention n° 101227010. • Collaboration internationale : le doctorant rejoindra une équipe internationale de 15 doctorants issus de cinq pays européens, en partenariat avec 5 universités et une entreprise. • Collaboration industrielle : la thèse se déroule en collaboration avec l'entreprise PlasmaTherm Europe. • Thème de recherche : les 15 projets de doctorat s'inscrivent dans le thème du projet « Dispositifs en carbure de silicium sur isolant (SiCOI) et intégration pour des applications dans les télécommunications optiques classiques et quantiques et la détection optique ». Ce projet de doctorat se déroulera au CNRS-Grenoble INP-Université Grenoble Alpes (France) et bénéficiera de missions chez les partenaires du réseau SiCPIC (Plasma-Therm, DTU, PoliTO). Cette thèse a pour objectif d’optimiser et comprendre les procédés de dépôt de couches minces de carbure de silicium amorphe (a-SiC) par ICPCVD (Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition) et PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), en collaboration avec l’entreprise Plasma-Therm. Une approche méthodique, combinant expérimentations avancées et planification d’expériences (DoE), sera mise en œuvre pour explorer les liens entre les paramètres de dépôt (puissance plasma, température du substrat, pression, composition de la phase gazeuse), la structure chimique des films, et leurs propriétés optiques et électriques. Une attention particulière sera portée à l’étude des effets du recuit (laser et thermique) sur la stabilité et les performances des couches, via des caractérisations ex situ (spectroscopie Raman, diffraction des rayons X, ellipsométrie) et in situ (mesures de contraintes, analyses structurales). La personne recrutée sera formée à l’ingénierie des procédés plasma (ICPCVD/PECVD), à la planification d’expériences (méthodes statistiques et numériques), à la caractérisation multi-échelle des couches minces (caractérisations structurales, chimiques et optiques). Résultats attendus : - Compréhension approfondie des mécanismes liant les paramètres de dépôt (IPCVD et PECVD), la physico-chimie des films (structure, contraintes, composition) et leurs propriétés optoélectroniques. - Optimisation des traitements post-dépôt (recuit laser/thermique) pour améliorer la stabilité et les performances des dispositifs. - Contribution à l’intégration des couches a-SiC dans des circuits photoniques classiques et Voir plus sur le site emploi.cnrs.fr Profil recherché Contraintes et risques : Niveau d'études minimum requis Niveau Niveau 8 Doctorat/diplômes équivalents Spécialisation Formations générales Langues Français Seuil
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