Notre unité a pour ambition de faire du Leti le premier institut de recherche technologique développant des architectures de puissance en SiC sur une ligne 200mm. Dans cette optique, le laboratoire souhaite renforcer son équipe SiC avec un nouvel ingénieur simulation.
Au sein du laboratoire LAPS d'une vingtaine d’ingénieurs-chercheurs pluridisciplinaires et en lien avec les laboratoires de test et de simulations, vous êtes en charge de modéliser et simuler de nouvelles architectures de puissance à base de carbure de silicium (SiC). Plus particulièrement, vous contribuez au design des masques, au dimensionnement et à la modélisation multiphysique de transistors MOSFET à base de carbure de silicium.
Vos principales activités sont les suivantes:
-Simulations numériques TCAD: du processus de fabrication (process) jusqu’au comportement électro-thermique du composant.
-Dimensionnement des composants pour répondre aux spécifications préalablement définies en lien avec le besoin applicatif. Interactions avec les différentes équipes en charge de l'intégration technologique, de la caractérisation électrique et de la simulation numérique pour supporter l’analyse électrique des composants.
-Support aux ingénieurs «dispositif» et intégration«filière» à l’analyse des résultats électriques en lien avec les variantes process et design mises en jeu sur les composants.+
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