Contrôler et manipuler l’information quantique via les technologies avancées de la nanoélectronique, tel est le nouveau défi mené par le CEA-LETI et ses partenaires. Un des enjeux majeurs de ce projet est de réussir à intégrer des dispositifs quantiques dans une technologie FD-SOI (Fully Depleted Silicon On Insulator) sur une plateforme 300 mm. Le succès de cette intégration repose notamment sur le développement de lignes supraconductrices qui ont pour but de connecter les dispositifs quantiques.
Ce stage a pour objectif de caractériser des matériaux supraconducteurs dits à "haute température" (NbN, ZrN, HfN) à l'aide d'analyses structurelles (diffractions aux rayons X, microscopie électronique) et électriques.
Les mesures électriques seront effectuées dans un premier temps à température ambiante puis aux températures cryogéniques afin d'évaluer la supraconductivité de ces matériaux.
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