Nous recherchons un(e) chercheur(se) postdoctoral(e) hautement motivé(e) pour rejoindre notre équipe au LPICM, une unité mixte entre le CNRS et l’École Polytechnique, dans le cadre d’un programme de « prématuration » visant à explorer une recherche originale pouvant mener à un projet de startup.
Ce projet porte sur le développement de cellules solaires tandem III-V/Si à haut rendement, en intégrant des couches d’arséniure de gallium (GaAs) sur des substrats de silicium cristallin (c-Si) à faible coût et abondants.
Il vise à relever ces défis en explorant la croissance épitaxiale de fines couches de GaAs, grâce à une technique épitaxiale originale et à faible coût, sur des substrats en c-Si en utilisant une couche tampon intermédiaire spécifique permettant de compenser le désaccord de maille tout en exploitant activement le Si comme cellule inférieure.
Activités
Le/la candidat(e) participera au dépôt et à l’optimisation du GaAs, à son dopage, aux aspects de passivation/contacts ainsi qu’à l’ingénierie des interfaces. À terme, nous visons la fabrication d’un premier démonstrateur de cellule solaire tandem GaAs/Si, offrant une alternative viable à la technologie photovoltaïque au silicium simple jonction, avec un potentiel de performance supérieur.
Compétences
• Doctorat pertinent en physique des semi-conducteurs, sciences des matériaux ou domaine similaire.
• Expérience pratique des procédés de dépôt de semi-conducteurs III-V (par ex. MOCVD, MBE …), de caractérisations avancées des semi-conducteurs (structurales, optiques et électriques) et/ou d’approches de passivation d’interfaces.
• Expérience dans la conception et la fabrication de cellules solaires III-V.
• Des connaissances en modélisation de dispositifs semi-conducteurs sont souhaitables mais non obligatoires.
• Vous êtes doté(e) d’une grande motivation, d’initiative et d’autonomie, ainsi que d’excellence et de flexibilité pour travailler et obtenir des résultats.
• Intérêt pour participer à la création d’une startup deeptech.
Contexte de travail
Ce projet porte sur le développement de cellules solaires tandem III-V/Si à haut rendement en intégrant des couches d’arséniure de gallium (GaAs) sur des substrats en silicium cristallin (c-Si) peu coûteux et abondants.
Les cellules solaires GaAs actuelles à hautes performances sont généralement fabriquées par croissance épitaxiale sur des substrats accordés au réseau cristallin tels que le c-GaAs ou le c-Ge. Cependant, le coût élevé des techniques de croissance conventionnelles ainsi que celui de ces substrats constitue un frein majeur au déploiement à grande échelle des technologies photovoltaïques III-V.
Ce projet porte sur le développement de cellules solaires tandem III-V/Si à haut rendement en intégrant des couches d’arséniure de gallium (GaAs) sur des substrats en silicium cristallin (c-Si) peu coûteux et abondants.
Les cellules solaires GaAs actuelles à hautes performances sont généralement fabriquées par croissance épitaxiale sur des substrats accordés au réseau cristallin tels que le c-GaAs ou le c-Ge. Cependant, le coût élevé des techniques de croissance conventionnelles ainsi que celui de ces substrats constitue un frein majeur au déploiement à grande échelle des technologies photovoltaïques III-V.
Contraintes et risques
Aucunes
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