L'ingénieur aura pour mission l'installation et mise en route des nouveaux réacteurs de gravure par plasma acquis dans le cadre des projets CPER. Ces réacteurs seront destinés à la gravure des matériaux III-V pour la réalisation des dispositifs optoélectroniques (UTC, guide d'onde) et électroniques (HBT, HEMT) et ainsi que d'autres matériaux (SiO2, SiN). L'ingénieur(e) participera, avec des autres membres du Pôle Gravure, dans les opérations de préparation de l'infrastructure pour accueillir les nouveaux équipements, de leurs réceptions et de leurs mises en oeuvre.
Au-delà de ce cadre général, l'ingénieur aura en charge le support au développement des étapes clés de procédés pour les gravures des composants rapides de type UTC, pour les besoins du projet FONTUNAT. De ce fait, il travaillera pour cet aspect en étroite collaboration avec les équipes de recherches appliquées dans ce projet. Il/elle veillera particulièrement sur la reproductibilité des procédés, établira les campagnes optimales d'utilisation de l'équipement, assurera le transfert des procédés entre les équipements.
En outre, l'ingénieur(e) recruté(e) contribuera au bon fonctionnement du Pôle « Gravure et Implantation ».
Activités
Entretient des réacteurs de gravure
Maintenance de premier niveau
Développement des procèdes des gravures
Calibration des réacteurs
Gestion de stock de pièces détachées ; contacts des SAV
Gestion de l'infrastructure (remplacement des bouteilles de gaz, autres consommables)
Formation des utilisateurs en lien avec les activités du projet de recherche sus-cité
Rédaction des rapports, transmission des résultats
Compétences
Connaissances générales de physique de plasma
Connaissance des techniques de gravure
Connaissance des techniques de suivi de gravure (interférométrie laser, OES)
Connaissance des physiques des matériaux
Maîtrise de technique de vide
Connaître les différentes techniques d'analyse : MEB, microscope optique, interférométrie, analyse de surface
Connaitre les techniques instrumentales de mesures électriques
Expérience en lithographie sera en plus
Maîtrise de l'anglais technique écrit et oral
Autonomie, Sens relationnel, Travail en équipe ; capacité analytique
Contexte de travail
L'Institut d'Électronique de Microélectronique et de Nanotechnologie est un institut de recherche de 450 personnes, comptant 170 chercheurs et 65 ingénieurs et techniciens permanents. Son budget consolidé est d'environ onze millions d'Euros annuels. L'IEMN est localisé sur cinq sites et dépend de trois tutelles principales : CNRS, Université de Lille, Université Polytechnique Hauts-de-France, et de deux tutelles secondaires : JUNIA et Ecole Centrale de Lille. Son activité de recherche est pluridisciplinaire et couvre un large spectre scientifique. Ses activités de recherche s'appuient essentiellement sur deux plateformes technologiques : la Centrale de Micro et Nano Fabrication (CMNF) et la Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques (PCMP).
La CMNF est une salle blanche d'environ 1600 m2 qui s'articule essentiellement autour de 5 pôles technologiques verticaux (Gravure et Implantation, Dépôt et Epitaxie, Lithographie, Analyse in line, bio/microfluidique) combinés à 3 pôles transverses. La mission principale de la CMNF est d'être le support technologique de l'ensemble des équipes de recherche de l'Institut. De plus, l'IEMN en tant que membre actif de RENATECH (réseau national des grandes centrales en micro-nanofabrication) permet d'accueillir les projets extérieurs. Pour mener à bien l'ensemble des projets technologiques, soit environ 200 projets / an, la CMNF est animée par une équipe technique composée d'environ 20 ingénieurs et techniciens.
L'ingénieur(e) recruté(e) exercera son activité au sein de la centrale de micro et nano fabrication (CMNF), localisée au laboratoire central de l'IEMN à Villeneuve d'Ascq. Il/elle sera placé(e) sous l'autorité du responsable de la centrale de micro et nano-fabrication de l'IEMN et sous la responsabilité hiérarchique directe du responsable du pôle « Gravure et Implantation », en collaboration avec le responsable du projet. La partie Gravure du Pôle est constituée de 7 réacteurs plasma de différents types (CCP, ICP-RIE, IBE, 2 réacteurs de gravure chimique (XeF2, HF-Vapeur) et des réacteurs de traitement de surface. L'ensemble de réacteurs est géré par 4 ingénieurs/techniciens.
Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.
Contraintes et risques
Trvail en salle blanche
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