Les cellules photovoltaïques à hétérojonction de silicium (SHJ) consistent en un empilement de couches minces déposées sur un substrat en silicium cristallin. Le silicium cristallin permet d’absorber le rayonnement tandis que les couche de silicium amorphe( a-Si :H) présentent sur chaque face permettent de générer et extraire les charges photogénérées.
Ces charges sont ensuite transportées vers les contacts métalliques grâce à des couches de oxydes transparents conducteur (TCO). Industriellement, les couches de TCO sont déposées par pulvérisation cathodique ce qui permet d’avoir des matériaux avec de très bonnes propriétés opto-électriques et des cadences de production élevées. Cependant, cette technique de dépôt peut endommager les couches sous-jacentes (a-Si :H) et donc réduire les performances des cellules. C’est d’autant plus le cas lorsque l’on cherche à réduire les épaisseurs des couches de ces TCO pour limiter les consommations de matériaux critiques.
Le sujet de stage propose de développer des solutions permettant de limiter l’endommagement des couches a-Si :H lors des dépôts de TCO. Une couche dite buffer déposée par ALD sera développée et ajoutée avant le dépôt de TCO. La réduction de l'endommagement sera évaluée grâce à des mesures de passivation puis les performances des dispositifs.
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