Nous recherchons notre futur.e Post doctorant.e ! Cet emploi s'inscrit dans le programme Européen « IPCEI on Microelectronics » (Important Projects of Common European Interest on Microelectronics, www.ipcei-me.eu/) qui vise à développer le leadership européen dans le domaine des semi-conducteurs. La très forte et longue collaboration entre des membres du laboratoire Polytech'Lab et STMicroelectronics depuis plus de 20 ans permet de collaborer (entres autres) sur des technologies innovantes dédiées aux mémoires Flash et aux transistors périphériques ou destinés à d'autres applications. Le transistor MOS est à l'origine d'une profonde mutation de notre société depuis les années 70. En raison de ses performances, cet élément de base de l'électronique a permis l'émergence d'un nombre considérable d'appareils électronique et d'applications. Ainsi, nous avons au quotidien avec nous plusieurs centaines de millions ou milliards de transistors MOS dans nos : téléphone portable, carte bancaire, ordinateur, tablette, voiture, vélo électrique. En fonction des applications (haute performance, bas coût, basse énergie .) et de la réduction des dimensions des transistors, il est nécessaire d'étudier certaines solutions technologiques pour modifier/adapter les transistors. C'est dans le cadre de ce type d'étude que se situe cet emploi.
Rejoignez-nous au sein d'Université Côte d'Azur, reconnue depuis 2016 pour son excellence scientifique et pédagogique, pour créer ensemble le modèle de l'université du 21ème siècle responsable et innovante.
Vos missions :
L'objectif principal est d'étudier et de proposer des solutions pour améliorer les performances électriques de nouveaux transistors analogiques CMOS conçus dans la Fab ST ROUSSET. Plusieurs axes pourront être adressés comme : étude de l'amincissement local du film mince de transistor MOS en SOI (Silicon On Insulator) / comment booster la mobilité des porteurs pour obtenir plus de courant / étude du transistor une fois sa longueur de grille réduite à 65 nm / diminution de la résistance de la grille du transistor. L'objectif est de construire en collaboration avec STMicroelectronics un plan d'expériences à réaliser afin d'atteindre les meilleures performances possibles. Pour cet emploi, il sera nécessaire de réaliser :
- Des extractions de paramètres électriques avec les logiciels du laboratoire et à partir de mesures fournies par STMicroelectronics.
- Des simulations TCAD (Technology Computer-Aided Design) afin de pouvoir interpréter certains résultats
- En fonction des besoins, faire des mesures sur les transistors avec les stations sous pointes du laboratoire. D'autres missions pourront être confiées en fonction de l'avancement des travaux de recherche.
Profil recherché :
Vous possédez une expérience préalable en modélisation, en simulation TCAD, en caractérisation électrique, en programmation Python seront également appréciées. Ces compétences ne sont pas obligatoires et pourront être acquises au cours du CDD. Avant tout, une passion pour la physique, la caractérisation électrique et la création de solutions innovantes est essentielle.
Experience: 3 An(s)
Qualification: Cadre
Secteur d'activité: Enseignement supérieur
Liste des qualités professionnelles:
Faire preuve d'autonomie : Capacité à prendre en charge son activité sans devoir être encadré de façon continue (le cas échéant, à solliciter les autres acteurs de l'entreprise).
Faire preuve de rigueur et de précision : Capacité à réaliser des tâches en suivant avec exactitude les règles, les procédures, les instructions qui ont été fournies, sans réaliser d'erreur et à transmettre clairement des informations. Se montrer ponctuel et respectueux des règles de savoir-vivre usuelles.
Faire preuve de réactivité : Capacité à réagir rapidement face à des évènements et à des imprévus, en hiérarchisant les actions, en fonction de leur degré d'urgence / d'importance.
En cliquant sur "JE DÉPOSE MON CV", vous acceptez nos CGU et déclarez avoir pris connaissance de la politique de protection des données du site jobijoba.com.