Post-doctorat - synthèse et validation des propriétés du matériau algan pour la photonique h/f

Optimisation de la croissance et validation des propriétés du matériau via la fabrication de dispositifs optoélectroniques
Activités
Les III-N sont particulièrement intéressantes pour les applications en photonique. Cependant, l'un des principaux défis est lié à la qualité du matériau. Ceci est particulièrement vrai pour l'AlGaN.

Dans ce contexte, l'objectif du projet de recherche est de croitre l'AlGaN par épitaxie par jets moléculaires et de valider ses propriétés. Cette technique de croissance utilisée dans les laboratoires de recherche offre l'avantage de contrôler avec une grande précision les paramètres de croissance ainsi que la pureté des matériaux synthétisés.

Pour ce faire, le travail se décompose en deux grands objectifs.
- Optimisation des protocoles de croissance de l'AlGaN pour éliminer les défauts et augmenter ses propriétés.
- Validation des propriétés du matériau via la fabrication de dispositifs photoniques permettant de juger dans le temps l'amélioration de la qualité du matériau synthétisé et validera les conditions de croissance optimisées.

Compétences
- Expérience en épitaxie des matériaux semi-conducteurs, idéalement les matériaux Nitrures.
- Expériences en caractérisation structurales et photonique des matériaux semi-conducteurs.
- Expérience en micro-fabrication en salle blanche
- Bonne communication en anglais
- Expérience dans la rédaction de documents scientifiques (publications, rapports)
Contexte de travail

Les travaux seront réalisés au Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies localisé sur le plateau de Saclay. Le candidat ou la candidate intègrera le Département Matériaux et travaillera en étroite collaboration avec des équipes du Département Photonique.
Le C2N est équipé d'une grande salle blanche de minor-nano-fabrication et de deux plateformes dédiées à la croissance par épitaxie et la caractérisation des matériaux.
Le C2N possède une longue expertise dans la croissance des III-N par épitaxie par jets moléculaires et leur caractérisation, ainsi que dans la nano-fabrication et les tests de dispositifs.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.
Les travaux seront réalisés au Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies localisé sur le plateau de Saclay. Le candidat ou la candidate intègrera le Département Matériaux et travaillera en étroite collaboration avec des équipes du Département Photonique.
Le C2N est équipé d'une grande salle blanche de minor-nano-fabrication et de deux plateformes dédiées à la croissance par épitaxie et la caractérisation des matériaux.
Le C2N possède une longue expertise dans la croissance des III-N par épitaxie par jets moléculaires et leur caractérisation, ainsi que dans la nano-fabrication et les tests de dispositifs.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.
Contraintes et risques

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