Post-doctorat (h/f) prématuration cnrs: fabrication et ingénierie de cellules solaires tandem gaas/si utilisant un procédé cvd plasma

Informations générales

Intitulé de l'offre : Post-doctorat (H/F) prématuration CNRS: Fabrication et ingénierie de cellules solaires tandem GaAs/Si utilisant un procédé CVD plasma
Référence : UMR7647-KAROUA-001
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : PALAISEAU
Date de publication : mercredi 1 octobre 2025
Type de contrat : Chercheur en contrat CDD
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 décembre 2025
Quotité de travail : Complet
Rémunération : entre 3081,33 et 4291,70 euros brut selon expérience
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années
Section(s) CN : 10 - Milieux fluides et réactifs : transports, transferts, procédés de transformation

Missions

Nous recherchons un(e) chercheur(se) postdoctoral(e) hautement motivé(e) pour rejoindre notre équipe au LPICM, une unité mixte entre le CNRS et l’École Polytechnique, dans le cadre d’un programme de « prématuration » visant à explorer une recherche originale pouvant mener à un projet de startup.
Ce projet porte sur le développement de cellules solaires tandem III-V/Si à haut rendement, en intégrant des couches d’arséniure de gallium (GaAs) sur des substrats de silicium cristallin (c-Si) à faible coût et abondants.
Il vise à relever ces défis en explorant la croissance épitaxiale de fines couches de GaAs, grâce à une technique épitaxiale originale et à faible coût, sur des substrats en c-Si en utilisant une couche tampon intermédiaire spécifique permettant de compenser le désaccord de maille tout en exploitant activement le Si comme cellule inférieure.

Activités

Le/la candidat(e) participera au dépôt et à l’optimisation du GaAs, à son dopage, aux aspects de passivation/contacts ainsi qu’à l’ingénierie des interfaces. À terme, nous visons la fabrication d’un premier démonstrateur de cellule solaire tandem GaAs/Si, offrant une alternative viable à la technologie photovoltaïque au silicium simple jonction, avec un potentiel de performance supérieur.

Compétences

•Doctorat pertinent en physique des semi-conducteurs, sciences des matériaux ou domaine similaire.
•Expérience pratique des procédés de dépôt de semi-conducteurs III-V (par ex. MOCVD, MBE …), de caractérisations avancées des semi-conducteurs (structurales, optiques et électriques) et/ou d’approches de passivation d’interfaces.
•Expérience dans la conception et la fabrication de cellules solaires III-V.
•Des connaissances en modélisation de dispositifs semi-conducteurs sont souhaitables mais non obligatoires.
•Vous êtes doté(e) d’une grande motivation, d’initiative et d’autonomie, ainsi que d’excellence et de flexibilité pour travailler et obtenir des résultats.
•Intérêt pour participer à la création d’une startup deeptech.

Contexte de travail

Ce projet porte sur le développement de cellules solaires tandem III-V/Si à haut rendement en intégrant des couches d’arséniure de gallium (GaAs) sur des substrats en silicium cristallin (c-Si) peu coûteux et abondants.
Les cellules solaires GaAs actuelles à hautes performances sont généralement fabriquées par croissance épitaxiale sur des substrats accordés au réseau cristallin tels que le c-GaAs ou le c-Ge. Cependant, le coût élevé des techniques de croissance conventionnelles ainsi que celui de ces substrats constitue un frein majeur au déploiement à grande échelle des technologies photovoltaïques III-V.

Contraintes et risques

Aucunes