Ingénieur.e d'études h/f: dispositifs optoélectronique à haute vitesse

Informations générales

Intitulé de l'offre : Ingé d'études H/F: Dispositifs optoélectronique à haute vitesse
Référence : UMR8023-ANGVAS-016
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : PARIS 05
Date de publication : lundi 6 octobre 2025
Type de contrat : IT en contrat CDD
Durée du contrat : 5 mois
Date d'embauche prévue : 1 novembre 2025
Quotité de travail : Complet
Rémunération : Entre 2500 et 3500 Euros selon expérience
Niveau d'études souhaité : BAC+3/4
Expérience souhaitée : Indifférent
BAP : C - Sciences de l'Ingénieur et instrumentation scientifique
Emploi type : Ingenieure ou ingenieur en conception instrumentale

Missions

Le/la candidat(e) participera activement au développement de dispositifs optoélectroniques à haute vitesse dans le cadre du projet pre-maturation Hi-QFACTOR.
Il/elle sera en charge de la conception, de la fabrication et de l’intégration de composants photoniques dans le moyen infrarouge, en vue de réaliser un premier prototype à haut rapport signal/bruit destiné au transfert technologique.

Activités

•Fabriquer en salle blanche des dispositifs (photodétecteurs et modulateurs MIR).
•Contribuer à l’amélioration de la conception (design optique et électrique) pour optimiser les performances haute fréquence (jusqu’à 10 GHz).
•Intégrer un amplificateur électronique directement sur le détecteur afin d’améliorer le rapport signal/bruit et les performances globales du système.
•Effectuer des caractérisations optiques et électriques (responsivité, profondeur de modulation, bande passante, bruit).
•Réaliser un premier packaging simple avec circuit RF intégré pour obtenir un prototype fonctionnel en vue d’un transfert technologique.
•Analyser et interpréter les résultats expérimentaux, rédiger des rapports et publications.

Compétences

•Formation : Doctorat ou Master 2 / diplôme d’ingénieur en physique, optoélectronique, photonique ou micro/nano-fabrication.
•Connaissances en physique des semi-conducteurs et en conception de dispositifs optoélectroniques.
•Expérience en caractérisation haute fréquence (RF, optique) souhaitée.
•Notions en électronique (amplificateurs, circuits RF) appréciées.
•Capacité à travailler à l’interface entre conception, fabrication et intégration système.
•Autonomie, rigueur et aptitude à collaborer en équipe multidisciplinaire.
•Bon niveau de communication en anglais et français.

Contexte de travail

Le poste est basé au Laboratoire de Physique de l’ENS (LPENS), au sein du groupe QUAD.
Le projet Hi-QFACTOR vise à développer une nouvelle génération de dispositifs optoélectroniques MIR à haute vitesse et température ambiante, avec des applications dans les télécommunications en espace libre, la détection de gaz et le biomédical.
Le/la candidat(e) travaillera dans un environnement riche et collaboratif, avec un fort accent sur la valorisation technologique et le transfert industriel.

Contraintes et risques

Risque chimique associé à la fabrication en salle blanche