Ingénieur de recherche en épitaxie si - sige h/f

Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.

Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.

Implanté au coeur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.

Les 20 000 collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :

- La conscience des responsabilités
- La coopération
- La curiosité En lien étroit avec les techniciens et ingénieurs-chercheurs de l'équipe, et en particulier avec le pilote de la thématique Epitaxie, vous travaillerez en salle blanche, en horaires journée, sur les développements technologiques des procédés d'épitaxie de couches Si et SiGe en 300 mm pour les transistors FD-SOI avancés.
Le respect des engagements pris auprès de nos partenaires et tutelles ainsi que les performances des transistors avancés que nous développons reposent en grande partie sur la qualité de votre travail, qui consistera :
- A développer des procédés innovants d'épitaxie de couches de Si et de SiGe, dopées ou non, sur motifs ou en pleine plaque,
- A réaliser / développer des mesures et caractérisations qui permettront de valider les propriétés des couches épitaxiées développées,
- A contribuer au démarrage d'un nouveau bâti d'épitaxie 300 mm,
- A prioriser le passage des lots de fabrication en fonction des étapes technologiques à réaliser et des degrés d'urgence,