Ingénieur en science des matériaux pour les circuits intégrés 3d – cdd 36 mois - grenoble h/f

Rejoignez-nous pour façonner l'avenir de la microélectronique!

Dans le cadre de projets de recherche et développement sur les circuits intégrés 3D (Intégration 3D au CEA Leti ), nous recherchons un(e) ingénieur en science des matériaux pour rejoindre notre équipe. Vous aurez l'opportunité de contribuer à la préparation des circuits intégrés de demain.

Pourquoi nous rejoindre?
- travailler sur des technologies de pointe et des projets de recherche à la frontière de la science et de l'ingénierie.
- intégrer un institut de recherche de premier plan composés d’experts passionnés et collaborer avec des partenaires industriels de renommée mondiale.
- accéder à un parc d’équipements à l’état de l’art mondial.
- acquérir une expérience pratique et de pointe dans le domaine de la science des matériaux et des technologies de « packaging » des circuits intégrés.

Description du labo/équipe
Notre équipe est constituée d’une quarantaine d’experts pluridisciplinaires travaillant principalement sur la caractérisation électrique et la fiabilité des composants microélectroniques (mémoire avancée, CMOS avancé, puissance, quantique, RF, MEMS et intégration 3D). Nous collaborons sur des projets internes ainsi que sur des contrats avec des industriels nationaux et internationaux.

Objectifs
Votre mission consistera à accompagner Stéphane, ingénieur-chercheur sénior, en prenant en charge les études suivantes:
-Des simulation à l'aide du logiciel COMSOL visant à comprendre l’influence de divers paramètres (désalignement, TTV, pitch…) sur la résistance et la capacité électrique du réseau d’interconnexions d’un empilement de plus de 2 couches, à base de TSV et de collage hybride
- Des analyses de données de micro-diffraction Laue :Issues de la thèse de Bassel Ayoub ( ) sur des interconnexions à base de collage hybride, il s'agira de déterminerla loi de comportement du cuivre des plots de collage dans un contexte polycristallin via la mise en place d’un modèle éléments finis (Neper, COMSOL…) prenant en compte la microstructure des plots de Cu et de la matrice d’oxyde de silicium
- Une étude de la zone d’exclusion autour des TSV haute densité incluant:
o des mesures à l’ESRF ( ) du champ de déformation et analyse de résultats
o une caractérisation statique de transistors sans/avec TSV perturbateurs
o des études de fiabilité (TDDB, EM, SiV, BTI, HCI, analyses de défaillance) sans/avec TSV perturbateurs

Vous consignerez le fruit de vos études dans des rapports détaillés et présenterez vos résultats à l'équipe de recherche et devant nos partenaires industriels.

Découvrez quelques-unes de nos dernières publications:

- : TSV et cryogénie

- : revue des études internationales dont les nôtres menées sur la fiabilité des interconnexions à base de collage hybride