Post-traitementnumérique de caractérisations physiques pour lecontrôle des transistors cfet h/f

Les CFET (complementary field effect transistors) représentent le prochain changement majeur d'architecture des transistors après plus de 60 années d'évolutions. La fabrication de ces transistors démarre toujours par la croissance par épitaxie sur un substrat silicium d'une succession de couches Si/SiGe de dimensions nanométriques, avec une concentration en germanium contrôlée et des interfaces qui nécessitent d'être les plus abruptes possibles.

Le contrôle de l'évolution de la concentration en germanium aux interfaces est critique pour ces transistors. Celui-ci est fait à l'aide de différentes techniques, dont l'analyse par SIMS (Secondary-Ion Mass Spectrometry). Cette technique permet d'obtenir un profil de concentration d'une espèce (par exemple le Ge) en fonction de la profondeur. Or, de nombreux artefacts rendent parfois le signal mesuré très éloigné de la réalité.

Un changement de paradigme dans les mesures est intervenu en introduisant le post-traitement numérique des signaux expérimentaux. En prenant en compte les différents éléments de la chaine de mesure qui déforment le profil réel, il est possible par transformation, algorithmes, de rétablir le profil réel. L'analogie peut être faite avec la photographie sur smartphone ou le signal issue du capteur photo est ensuite corrigé (bruit, contraste, dynamique) pour que le rendu soit le plus fidèle possible à la réalité.

Durant cette alternancevous avez pour mission d'étudier les éléments déformant le signal brut SIMS et simuler ce dernier ainsi qu'à introduire les équations et transformations à utiliser pour revenir au profil réel.

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