Description du poste
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Pour la microélectronique du futur, le dépôt sélectif localisé ou Area Selective Deposition = ASD [1] constitue une approche prometteuse pour simplifier les schémas d’intégration des nœuds technologiques les plus avancés. Ces approches d’ASD nécessitent d’être adaptées en fonction d’un trinôme comprenant le matériau à déposer, la surface de croissance et la surface inhibée. On se propose ici d’étudier le dépôt d’oxyde de silicium (SiO2) sur Si ou SiO2 vs le nitrure de silicium (SiN) [2] qui est l’un des sujets les plus complexe en ASD et d’évaluer l’intérêt de ce type de procédé pour la réalisation de transistors FDSOI avancés [3].
Pour développer ce procédé de dépôt sélectif de SiO2, différentes approches permettant de rendre le SiN inhibiteur à la croissance du SiO2 seront étudiées (traitements plasma, Small Molecular Inhibitor, combinaison des deux, …). Le dépôt sélectif de SiO2 sera réalisé par Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD).
Ce stage de 6 mois se déroulera au CEA-LETI, dans le service de dépôt de matériaux avancés. L’étudiant aura accès aux plateformes de réalisation en salle blanche pour les dépôts de couches minces par PEALD et à la plateforme de nanocaractérisation. Des analyses de surface et caractérisations des couches minces (ellipsométrie, XRR, AFM, FTIR, angle de goutte, SEM, XPS, Tof-SIMS) permettront d’identifier la meilleure sélectivité.
Le début du stage est prévu vers Fév. 2026 avec une possibilité de continuité en thèse.
Pour aller plus loin:
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Mots clés :
Stage M2 6 mois ; Microélectronique ; Matériau couche mince ; ALD ; Sélectivité, ASD ; Nanocaractérisation
Moyens / Méthodes / Logiciels Plateformes technologiques de réalisation et de nanocaractérisation Profil du candidat
Qu’attendons-nous de vous ?
Vous préparez un diplôme de niveau Master2 ou école d'ingénieur en Matériaux / Microélectronique / Physique – Chimie
Vous êtes force de proposition et faites preuve d'esprit de synthèse, d'autonomie, de rigueur ainsi que d'esprit d'équipe.
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