Chercheur postdoctoral : conception de composants de puissance intégrés en gan (h/f)

Informations générales Organisme de rattachement CNRS Référence UMR5213-DELDAL-033 Date de début de diffusion 11/12/2025 Date de parution 21/12/2025 Date de fin de diffusion 01/01/2026 Intitulé long de l'offre Chercheur postdoctoral : conception de composants de puissance intégrés en GaN (H/F) Date limite de candidature 01/01/2026 Nature du contrat CDD d'1 an Versant Fonction Publique de l'Etat Catégorie Catégorie A (cadre) Nature de l'emploi Emploi ouvert uniquement aux contractuels Domaine / Métier Recherche - Chercheuse / Chercheur Statut du poste Vacant Intitulé du poste Chercheur postdoctoral : conception de composants de puissance intégrés en GaN (H/F) Descriptif de l'employeur Le Centre national de la recherche scientifique est un organisme public de recherche pluridisciplinaire placé sous la tutelle du ministère de l’Enseignement supérieure et de la Recherche. Créé en 1939 et dirigé par des scientifiques, il a pour mission de faire progresser la connaissance et être utile à la société dans le respect des règles d’éthique, de déontologie et d’intégrité scientifique. Description du poste Missions : Dans le cadre du PEPR électronique « VERTIGO » regroupant 8 entités académiques de référence (France 2030), le projet VERTIGO vise à développer une nouvelle génération de composants de puissance basés sur un semi-conducteur en GaN, avec des fonctionnalités et performances uniques. Les technologies de l'électronique de puissance avancée sont au cœur de la prochaine génération de systèmes énergétiques. Le silicium est un matériau semi-conducteur bien établi qui répond aux exigences de la conversion d'énergie depuis plus de 50 ans. Cependant, il est largement reconnu qu'une réelle amélioration de l'électronique de puissance sera obtenue en employant des dispositifs basés sur des matériaux semi-conducteurs à large bande interdite. Les matériaux semi-conducteurs à large bande interdite présentent des caractéristiques électriques supérieures à celles du silicium pour les dispositifs de puissance. Les dispositifs électroniques de puissance basés sur des semi-conducteurs à large bande interdite permettront d'améliorer considérablement les performances des systèmes électroniques de puissance en offrant des tensions de blocage plus élevées, une efficacité et une fiabilité accrues (rapport performance/coût plus élevé), ainsi que des exigences thermiques réduites, ce qui conduira à la réalisation de systèmes électroniques verts plus efficaces. Parmi ces matériaux, il s’agit ici de concevoir de nouvelles fonctionnalités intégrées au sein de composants verticaux en Nitrure de Gallium (GaN), sur la base des briques technologiques disponibles et mises au point au sein du consortium. Activités : Les objectifs scientifiques de ce poste sont résumés en une tâche principale : concevoir les composants de puissance en GaN avec leurs fonctionnalités intégrées. En étroite collaboration avec le consortium du projet, les différents dispositifs seront étudiés à l'aide d'analyses par éléments finis 1D et 2D (par exemple TCAD Sentaurus, Silvaco). Les analyses numériques évalueront les compromis entre les performances électriques du cœur de puissance et des fonctions intégrées, les paramètres de fabrication, et les paramètres géométriques (par exemple, longueur de la grille, distances entre la grille et le drain et entre la grille et la source, dimensions critiques et marges de sécurité). Une attention particulière sera portée aux éléments parasites et couplages de l’intégration afin d'évaluer le plus tôt possible les performances de commutation et les meilleurs compromis entre les paramètres des composants, les pertes de conduction et de commutation. Les différentes architectures seront évaluées en termes de performances électriques de complexité de fabrication (nombre de procédés de fabrication et tolérance aux dispersions). Les meilleures architectures seront conçues (mask layout), en étroite collaboration avec les partenaires français du consortium. En complément de ces travaux de conception qui représent Voir plus sur le site emploi.cnrs.fr Conditions particulières d'exercice Le Centre national de la recherche scientifique est l’une des plus importantes institutions publiques au monde : 34 000 femmes et hommes (plus de 1 000 laboratoires et 200 métiers), en partenariat avec les universités et les grandes écoles, y font progresser les connaissances en explorant le vivant, la matière, l’Univers et le fonctionnement des sociétés humaines. Depuis plus de 80 ans, y sont développées des recherches pluri et interdisciplinaires sur tout le territoire national, en Europe et à l’international. Le lien étroit que le CNRS tisse entre ses missions de recherche et le transfert vers la société fait de lui un acteur clé de l’innovation en France et dans le monde. Le partenariat qui le lie avec les entreprises est le socle de sa politique de valorisation et les start-ups issues de ses laboratoires (près de 100 chaque année) témoignent du potentiel économique de ses travaux de recherche. Descriptif du profil recherché Competences : - Maîtriser les outils de simulation tels que SPICE, VHDL(-AMS), Cadence, ainsi que les outils de calcul et modélisation tels que Matlab/Octave ou Python. Des compétences en simulation numérique type élément fini seront un plus (ex : Comsol, TCAD, Silvaco). - Avoir des connaissance sur les problématiques et méthodologies de caractérisation des transistors en régime de commutation large signal. - Avoir des connaissances approfondies en électronique, idéalement dans la modélisation de transistors et les composants de puissance à matériaux grand gap et/ou ultra grand gap. - Démontrer une aptitude au travail en équipe et dans le cadre d’un projet collaboratif, notamment par une expérience antérieure de participation active dans un tel projet - Avoir un bon niveau et une maîtrise des langues Françaises et Anglaises Contraintes et risques : Temps plein Oui Rémunération contractuels (en € brut/an) Entre 3 041€ et 4 395€ brut mensuel selon expérience Localisation du poste Europe, France, Occitanie, Haute Garonne (31) Géolocalisation du poste TOULOUSE Lieu d'affectation (sans géolocalisation) 31071 TOULOUSE (France) Critères candidat Niveau d'études / Diplôme Niveau 8 Doctorat/diplômes équivalents Spécialisation Formations générales Langues Français (Seuil)