Caractérisation de l'activation des dopants et la mobilité des porteurs dans des films minces h/f

Description de l'offre

Cadre et contexte : Au sein du LETI, plusieurs applications telles que la jonction FD-SOI avancée et les architectures 3D impliquent l’incorporation de dopants qui ont un impact direct sur les performances électriques des dispositifs. Il est donc important de pouvoir caractériser précisément la mobilité des porteurs et l’activation des dopants dans les zones concernées. L’objectif principal de l’alternance est de mettre au point des méthodes de caractérisations fiables permettant d’extraire les propriétés électriques des couches minces d’intérêt. L’essentiel de ce travail sera basé sur des mesures par effet Hall et des mesures de résistance carrée. Les matériaux étudiés seront principalement obtenus par (i) croissance épitaxiale de silicium dopé in-situ à l’aide de phosphore (Si:P) ou d’alliages de silicium et germanium dopés in-situ à l’aide de bore (SiGe:B), (ii) par implantation ionique, combinée à des recuits. L’objectif sera de comparer les différents méthodes de dopage (in-situ et ex-situ), ainsi que plusieurs types de recuits (durée variable allant de la seconde à la dizaine nanosecondes). Les couches minces étudiées viseront principalement les forts dopages.

Travail demandé : Durant la première année, vous devrez vous familiariser et mettre en place un protocole expérimental afin de réaliser des mesures électriques par effet Hall et mesure de résistance carrée. En deuxième année, l’objectif sera de comprendre et comparer les différentes techniques de dopage et types de recuits. Des caractérisations complémentaires pourront être mises en œuvre pour déterminer les défauts ou les phases liées à l’éventuel excès de dopants. Enfin une amélioration de la mesure et une comparaison avec d’autres techniques de caractérisations électriques pourront être envisagées en troisième année. En particulier, une boucle courte pourra être mise en place pour fabriquer les structures de Van der Pauw (isolation, contacts) sur des plaques de diamètre 300mm.

Profil du candidat

Qu’attendons-nous de vous ?

Vous préparez un diplôme de niveau Bac+5 école ingénieur Matériaux

Vous êtes reconnu pour votre capacité à savoir travailler avec les autres - et entretenir de bonnes relations, votre enthousiasme et votre application au travail.

Rejoignez-nous, venez développer vos compétences et en acquérir de nouvelles !

Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons :

Un environnement unique de recherché dédié à des projets ambitieux au profit des grands enjeux sociétaux actuels.
Une expérience à la pointe de l’innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel,
Des moyens expérimentaux exceptionnels et un encadrement de qualité,
De réelles opportunités de carrière à l’issue de votre alternance
Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,
Un équilibre vie privé – vie professionnelle reconnu,
Une épargne entreprise abondée par le CEA,
Une politique diversité et inclusion,
Un CSE actif en termes de loisirs et d’activités extra-professionnelles.


Tous nos postes sont ouverts aux personnes en situation de Handicap. La Mission Handicap du CEA vous accompagne et met en place les aménagements nécessaires à vos besoins spécifiques