Post-doctorant - étude structurale, chimique et électronique à l'échelle sub-angström de transistors à polarité azote à base de nbn (h/f)

RESPONSABILITÉS :

Un contrat de post-doctorat, d'une durée de 9 mois, est à pourvoir au sein du laboratoire CIMAP. Dans le cadre de ce contrat sera réalisé une étude structurale, chimique et électronique à l'échelle sub-angstrom de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) à base de nitrure de Niobium (NbN) par microscopie électronique en transmission.
Projet N POLAR : contexte et objectifs Le projet N POLAR vise au développement de nitrures III à polarité azote sur substrats de silicium par épitaxie par jets moléculaires. Les nitrures III à polarité N seront obtenus par inversion de polarité grâce à une fine couche métallique épitaxiale de NbN. L'inversion de polarité, plus précisément de la polarité métallique à la polarité azote, a été récemment démontrée par cette approche (projet ANR Niobium ANR-21-CE08-007 fini en mars 2025). Les travaux dans N POLAR porteront sur le développement et l'optimisation de ce procédé innovant (hétérostructures hybrides semi-conducteur/métal/semi-conducteur) afin d'étudier et de comprendre les propriétés des matériaux III-N à polarité N via une compréhension fine des mécanismes fondamentaux d'inversion de polarité par une approche multi-échelle. En effet, l'objectif du projet N POLAR est d'obtenir des hétérostructures III-N planaires à polarité N de haute qualité structurale et à faible concentration d'impuretés, déposés sur substrats de silicium pour développer des dispositifs HEMT pour des applications hautes fréquences (> 40 GHz).
Dans ce cadre, le projet N POLAR vise en particulier à utiliser les dernières avancées instrumentales de la technique de microscopie électronique en transmission pour des études structurale, chimique et électronique à l'échelle sub-angstrom d'hétérostructures à base de NbN afin de déterminer rapidement les conditions optimales pour obtenir les meilleures hétérostructures, non seulement vis-à-vis des relations interfaciales, mais surtout pour la croissance de dispositifs optimisés. Pour ces caractérisations structurales atomiques, Le laboratoire dispose d'un MET JEOL ARM200F Cold FEG corrigé (Cs) de dernière génération, équipé de détecteurs ADF/ABF, EDS et d'un spectromètre de perte d'énergie des électrons EELS GIF continuum équipé d'une caméra Gatan K3, offrant une gamme étendue pour l'investigation électronique locale (0-4000 eV) des interfaces.

PROFIL RECHERCHÉ :

Profil Le candidat doit être titulaire d'un doctorat en physique ou en sciences des matériaux ; d'autres domaines avec une expérience dans les matériaux nitrurés peuvent être pris en considération. Néanmoins, des compétences et une grande expérience (pratique) en caractérisation par microscopie électronique en transmission sont indispensables.
The candidate must hold a PhD in physics or materials science; other fields with experience in nitride materials may be considered. However, skills and extensive practical experience in characterization by transmission electron microscopy are essential.
Détails du poste Le poste est financé pour une durée de 9 mois et pourra débuter le 1er mars 2026. Le candidat retenu mènera ses recherches au Laboratoire CIMAP de l'Ensicaen – Université de Caen Normandie, sous la supervision de Magali Morales, coordinatrice du projet pour le laboratoire CIMAP.
The position is funded for a duration of 9 months and can start on March 1, 2026. The selected candidate will conduct his research at the CIMAP Laboratory of Ensicaen – University of Caen Normandy, under the supervision of Magali Morales, project coordinator for the CIMAP laboratory.
Contact et date limite → Date limite de candidature : 15 février 2026
→ Lieu de travail : CIMAP 6 Bd du maréchal Juin, 14050 Caen Cedex