Cifre - caractérisation et étude du gettering sur silicium m/f

CIFRE - Caractérisation et étude du gettering sur silicium M/F, Crolles

Chez ST, nous sommes plus de 50 000 créateurs et fabricants de technologies microélectroniques.

Nous collaborons avec plus de 200 000 clients et des milliers de partenaires. Avec eux, nous concevons et créons des produits et des solutions qui répondent à leurs défis et à la nécessité de contribuer à un monde plus durable. Nos technologies de pointe permettent une mobilité plus intelligente, une gestion plus efficace de l’énergie, de la puissance et un déploiement à grande échelle de l’Internet des objets (IoT) et de la 5G.

ST a reçu les certifications Top Employer France et HappyTrainees 2023, qui reconnaissent notre engagement en tant qu’employeur de référence et notre priorité à l’humain.

Les technologies Imaging, Flash et Bipolaires reposent sur l’utilisation de substrats Silicium (Si) p-. Ces substrats, caractérisés par un dopage intrinsèque faible, sont sensibles à toute contamination métallique.

Les technologies à Crolles impliquent de nombreuses étapes Front-End et Back-End (gravures, dépôts, implantation, épitaxie, etc.), pouvant involontairement introduire des sources de contamination (métallique, particulaire), rédhibitoires pour le dispositif final.

Les métaux introduits peuvent se recombiner avec des défauts dans le bulk Si. Les métaux à diffusion rapide comme Cu, Ni peuvent induire des fuites dans le dispositif par recombinaison dans la structure électronique du Si. Le but de cette thèse est d’étudier le mécanisme de piègeage de ces contaminants, connu sous le terme de gettering.

Il s’agira d’étudier le gettering externe, par exemple par dépôt de couches fines contenant des éléments pouvant se complexer avec les métaux, via épitaxie ou dépôt en four. Cette méthode sera comparée au gettering interne, réalisé par la création de défauts spécifiques dans le Si. Les métaux diffusants lents (Nb, Mo, Ti, etc.) seront également examinés, ainsi que les aspects de précipitation et de caractérisation (structurale et électrique) après recuits. Ce sujet, à l’interface entre procédé, caractérisation physico-chimique, science du Si et intégration, permettra le développement de techniques de caractérisation innovantes sur Si et SOI.

* Un plan de formation pour accompagner votre prise de poste et votre carrière.
* Les avantages d’un grand groupe : mutuelle haut de gamme, CSE, intéressement, CET…

Ce travail de doctorat, situé à l’intersection entre la diffusion des matériaux et du silicium, le développement de processus et les caractérisations, sera réalisé en collaboration avec des ingénieurs en intégration de processus, développement, métrologie, caractérisation, ainsi que des partenaires académiques.

Vous devez avoir une expérience en caractérisation physico-chimique des matériaux (physique, optique) et un intérêt pour le développement de processus innovants pour l’industrie.

Des compétences en logiciels et en travail expérimental pratique sont nécessaires.

Une grande curiosité, organisation, appétit pour l’innovation et autonomie sont attendus pour ce travail à l’interface entre industrie et recherche académique.

Le site de Crolles, avec plus de 5000 personnes venant de 45 pays, couvre 40 hectares. Situé à 20 km de Grenoble et 40 km de Chambéry, Crolles est une ville dynamique alliant excellence technologique et qualité de vie. Notre site offre un cadre exceptionnel en pleine montagne, avec stations de ski, sentiers de randonnée et activités variées. En nous rejoignant, vous bénéficierez de nombreux avantages : plan de mobilité, restaurants, conciergerie, CSE.

Les sites de Crolles et Grenoble sont les premiers employeurs privés en Isère, avec des projets innovants en R&D et manufacturing.

Nous rassemblons 50 000 personnes dans 40 pays, représentant 118 nationalités. La diversité est une valeur fondamentale de notre identité. Nous croyons en l’inclusion et travaillons chaque jour pour un environnement plus équitable, où chacun peut réaliser son potentiel.

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