Ingénieur de recherche (h/f) microtechnologie des semiconducteurs nitrure

Informations générales

Intitulé de l'offre : Ingénieur de Recherche (H/F) microtechnologie des semiconducteurs nitrure
Référence : UPR8011-DAVMAR-001
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : TOULOUSE
Date de publication : jeudi 15 janvier 2026
Type de contrat : IT en contrat CDD
Durée du contrat : 14 mois
Date d'embauche prévue : 16 mars 2026
Quotité de travail : Complet
Rémunération : 4267 € et 4816 € brut mensuel
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : Plus de 10 années
BAP : B - Sciences chimiques et Sciences des matériaux
Emploi type : Ingenieure ou ingenieur de recherche en science des materiaux / elaboration

Missions

Dans le cadre d’un projet innovant, le ou la candidat(e) réalisera les développements technologiques nécessaires à l’élaboration de semiconducteurs nitrures de haute qualité, ainsi qu’à leurs caractérisations structurales et électriques.

Activités

- Concevoir et réaliser les protocoles de préparation des substrats silicium par voie chimique
- Elaborer les couches semi-conducteurs nitrure par épitaxie par jets moléculaires (EJM)
- Réaliser les analyses structurales par microscopie optique, diffraction X, MEB et AFM
- Fabriquer les structures tests pour les mesures électriques par les étapes conventionnelles de dépôt et de gravure
- Réaliser les mesures électriques
- Contribuer à la stratégie de propriété intellectuelle et de valorisation

Compétences

NOTE IMPORTANTE : Compte tenu de la haute technicité du poste et des délais serrés du projet, merci de ne pas candidater si vous ne remplissez pas les critères impératifs ci-dessous.
!!! Les profils ne correspondant pas aux pré-requis ne seront pas étudiés.!!!
Niveau de formation :
Doctorat (PhD) exigé en Physique de semiconducteurs nitrure ou domaine connexe.

Compétences Scientifiques et Techniques Impératives (Hard Skills) :
- Expertise en élaboration par épitaxie par jets moléculaires de semiconducteurs nitrure AlN / GaN
-Expertise salle blanche : connaissance et savoir-faire des techniques de gravure chimique et physique (RIE, IBE), de lithographie optique et de dépôt de couche minces métalliques
- Connaissances de la fabrication de composants actifs à base de semiconducteurs nitrure et de leurs caractérisations électriques (courbe de fonctionnement et fiabilité)

Savoir-être (Soft Skills) :
- Explorer de nouvelles approches : Vous êtes vif/vive d'esprit, efficace et capable de trouver des solutions techniques créatives face aux imprévus de fabrication.
- Rigueur & Autonomie : Vous savez mener un projet technologique de bout en bout.
- Travail d'équipe : Communication fluide avec chercheurs et ingénieurs.
- Hygiène et sécurité : respect des règles de sécurité liées au travail en salle blanche
- Un plus : connaissance du milieu industriel des semiconducteurs nitrures et des stratégies de valorisation

Contexte de travail

Sous la responsabilité du porteur du projet, le ou la candidat(e) ménera son activité principalement au CEMES en utilisant les moyens des plateformes technologiques et de caractérisations.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.

Contraintes et risques

Ne s’applique pas