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Ingénieur de recherche (h/f) epitaxie de matériaux hybrides pour la spintronique

Palaiseau
CNRS
Ingénieur de recherche
Publiée le 15 avril
Description de l'offre

Vos missions en quelques mots Missions : L'ingénieur (H/F) participera à la réalisation des objectifs du projet PEPR SPIN / SPINMAT. Elle/il sera en charge de la conception, de l'épitaxie par jets moléculaires, et de la caractérisation d'hétérostructures hybrides III-V / métal pour la spintronique. Elle/il travaillera avec les chercheurs des départements Matériaux et Nanoélectronique et en forte interaction avec les ingénieurs de la plateforme POEM. Il participera aux réunions avec les partenaires du PEPR. Il contribuera à la valorisation et la diffusion des résultats via la publications dans des revues internationales à comité de lecture et la participation à des conférences internationales. Activités : - Elle/Il concevra des structures hybrides métal/semiconducteur pour la génération, le transport et la détection du spin des porteurs de charges. - Elle/Il développera la croissance par épitaxie par jets moléculaires de ces structures - Elle/Il assure la mise en œuvre des moyens de caractérisations adaptés à la validation des échantillons en couches minces ( caractérisation électrique par Effet Hall et Van der Paw, SQUID, FMR) - Elle/Il participera aux opérations de maintenance et de dépannage (diagnostic, réparations) sur l’ensemble du parc de bâtis d’épitaxie par jets moléculaires. - Elle/il maintiendra une veille technologique. Contexte de travail : L'ingénieur-e de recherche travaillera au sein de l'équipe ELPHYSE, rattachée au département Matériaux. Le laboratoire a une longue expérience de l'épitaxie des semiconducteurs III-V. Récemment il s'est équipé d'un cluster couplant, sous ultra-vide un bâti III-V à un bâti métal. Pour l'élaboration des structures épitaxiées, elle/il aura accès à la plateforme POEM qui possèdent 6 réacteurs d'épitaxie par jets moléculaires de matériaux III-V, dont le nouveau cluster. Elle/il aura accès à la plateforme PIMENT pour la fabrication des dispositifs. Profil recherché Competences : - Experience en épitaxie par jets moléculaires de matériaux III-V et métaux - Expérience en spintronique - Connaissance approfondie en chimie et sciences physique des matériaux - Connaissance approfondie des technique d'élaboration de couches minces par voie physique - Connaissance approfondie des techniques du vide et de l’ultravide. - Connaissance générale de l’instrumentation et des mesures - Connaissance de base sur les techniques de caractérisation physico-chimiques - Aptitude à travailler en équipe - Expérience du travail en salle blanche - Capacité à rédiger des notes techniques et articles en anglais - Qualités relationnelles et organisationnelles - Anglais : Compréhension écrite et orale : B2. Expression écrite et orale : B2 Contraintes et risques : Travail en salle blanche. Niveau d'études minimum requis Niveau Niveau 8 Doctorat/diplômes équivalents Spécialisation Chimie Langues Français Seuil

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