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Ingénieur d'étude en développement de capteurs environnementaux h/f

Orléans
CDD
CNRS
Ingénieur étude et développement
Publiée le 17 mai
Description de l'offre

Dans le cadre du projet de prématuration CNRS CAMUPOGRAFET, le laboratoire ICMN (UMR7374) recrute un ingénieur d'étude (H/F) en électronique avec des connaissances en matériaux. L'objectif de ce projet est de poursuivre le développement de capteurs environnementaux basés sur une configuration de transistor à effet de champ à base de graphène, dédiés à la détection de polluants cibles en milieux aqueux.
La personne recrutée sera dans un premier temps formée à la fabrication du capteur en salle blanche par lithographie, puis à sa caractérisation électronique. Dans un second temps elle sera aussi formée aux techniques de modification de surface, de tests et de validation du capteur pour la détection de polluants. Une fois cette phase de montée en compétence effectuée elle sera chargée de poursuivre le développement du capteur, pour une montée en TRL de ce dernier.
Activités
La personne recrutée devra intervenir dans un premier temps dans les étapes :
- Microfabrication en salle blanche au laboratoire GREMI
- Caractérisation des transistors à effet de champ à base de graphène.
Puis dans un second temps elle sera impliquée sur les différentes étapes de développement et de validation du capteur en milieu aqueux, et aura pour tâches de :
- Caractériser le capteur d'un point de vue électrochimique (réactivité de surface)
- Modifier la surface du capteur pour le rendre spécifique à un polluant cible défini.
- Tester le capteur en terme de sensibilité et sélectivité (courbe d'étalonnage)
- Optimiser le processus de régénération du capteur.
Pour cela, elle s'appuiera sur la présence d'un ingénieur de recherche ayant participé aux développements initiaux du capteur.
Compétences
Le profil recherché est celui d'un ingénieur (H/F) en physique/science des matériaux. La personne recrutée doit posséder des compétences de travail en salle blanche (lithographie optique, dépôts) ; mais aussi en électronique analogique. Un fort goût pour l'expérimental est vivement conseillé. Des connaissances en modification de surface (par voie chimique ou électrochimique) seraient appréciées, ainsi qu'en interaction lumière-matière. Autonome dans son travail, elle effectuera une période de chevauchement avec un ingénieur de recherche déjà impliqué dans le projet afin d'être formée aux différentes techniques de fabrication et de caractérisation.
Le poste requiert à la fois de l'autonomie et un goût prononcé pour la communication dans le travail dans la mesure ou l'ingénieur recruté devra régulièrement tenir informer toutes les personnes impliquées dans le projet de l'avancée de ses travaux et des difficultés qu'il rencontre
Elle, il sera basée dans deux laboratoires : au laboratoire GREMI pour le développement du transistor, puis sur la partie développement de capteur au laboratoire ICMN.
La personne devra être formée au travail en salle blanche, ainsi qu'en microfabrication, et avoir des connaissances sur les FET.
Des compétences en électrochimie, modification de surface, et méthode de caractérisation par spectroscopie seraient appréciées.
La maîtrise des logiciels de bureautique ainsi que de la rédaction de rapport est nécessaire à ce projet qui nécessite des rendus réguliers et un suivi précis des développements.
La personne devra maîtriser l'anglais de niveau (B1).
Elle, il sera rattaché au laboratoire ICMN et devra travailler au laboratoire GREMI pour le développement du transistor en salle blanche, puis sur la partie développement de capteur au laboratoire ICMN.
La personne devra tenir quotidiennement à jour on cahier de laboratoire, rédigé deux rapports (à 6 mois et de fin de contrat) et présenter régulièrement ses travaux lors des réunions de projet. La personne sera amené à participer aux tâches collectives de l'équipe et participer aux réunions du laboratoire.
La personne devra maîtriser l'anglais de niveau (B1).
Contexte de travail

La personne recrutée sera basée dans deux laboratoires : au laboratoire GREMI pour le développement du transistor, puis sur la partie développement de capteur au laboratoire ICMN.
Au laboratoire GREMI (Unité Mixte de Recherche, composée de 69 agents, dont 40 agents permanents), l'IE interviendra en salle blanche. Elle pourra s'appuyer sur les infrastructures existantes au laboratoire GREMI en particulier une salle blanche de 100m², ainsi qu'un plateau de caractérisation électrique.
Au laboratoire ICMN (Unité Mixte de Recherche, composée de 44 agents, dont 34 agents permanents)) dans l'axe Systèmes Interfaciaux Carbones Fonctionnels, dans l'équipe Capteur. Elle bénéficiera des compétences de l'équipe en terme de développement de capteurs. Elle devra utiliser ces compétences pour les appliquer à son sujet de recherche. En parallèle elle sera formée lors des 2 premiers mois de contrat par un IR ayant travaillé sur le projet depuis le commencement.

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