Caractérisation des défauts dans les jonctions des mosfet fabriqués à bas budget thermique // junction defect characterization of low thermal budget soi mosfet

Topic description

Rejoignez le CEA-Leti et le CROMA pour analyser en profondeur les jonctions d'une nouvelle technologie. Nos transistors sont fabriqués avec un budget thermique limité pour l'intégration séquentielle en 3D, ce qui rend l'activation des dopants très difficile. Notre équipe vous apportera son soutien technique et scientifique pour mener à bien ces travaux. Certaines données sont déjà disponibles et n'attendent plus que votre analyse.
Au cours de ce doctorat, vous aurez l'occasion de caractériser en profondeur
Une idée initiale (simulation, bibliographie, TCAD) 20 %
La Compréhension des procédés (implantation, SPER) 10 %
Accompagnée de :
La gestion de l'intégration et de la fabrication en salle blanche 10 %
La caractérisation (physique et électrique : bruit, DLTS…) 50 %
Et la valorisation (présentations, article) 10 %
Ce doctorat offre une chance unique d'être à la pointe de l'innovation technologique et d'avoir un impact significatif dans le domaine du SOI avancé. Rejoignez-nous et faites le premier pas vers une carrière passionnante dans la recherche et le développement !
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Join CEA-Leti and CROMA to analyze in depth junctions of a new technology. Our transistors are fabricated under restricted thermal budget for 3D sequential integration, making dopants activation very challenging! Our team will support you technically and scientifically to conduct this work. Some data are already available and waiting for your analysis.
During this PhD, you will have the opportunity to characterize in depth a
From the idea (simulation, bibliography, TCAD) 20%
Processes understanding (implantation, SPER) 10%
Integration & cleanroom fabrication management10%
Characterization (physical & electrical: noise, DLTS…) 50%
Valorization (presentations, article) 10%
This PhD offers a unique chance to be at the forefront of technological innovation and to make a significant impact in the field of advanced SOI. Join us and take the first step towards an exciting career in research and development!
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Début de la thèse : 01/10/

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