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Expert en développement d'instrument pour le développement de détecteur silicium (h/f)

Paris
CDD
CNRS
Publiée le 25 septembre
Description de l'offre

Informations générales

Intitulé de l'offre : Expert en développement d'instrument pour le développement de détecteur Silicium (H/F)
Référence : UMR7585-YOLBON-027
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : PARIS 05
Date de publication : mercredi 24 septembre 2025
Type de contrat : IT en contrat CDD
Durée du contrat : 24 mois
Date d'embauche prévue : 1 janvier 2026
Quotité de travail : Complet
Rémunération : entre 3237,95 et 3505,53 selon expérience
Niveau d'études souhaité : BAC+5
Expérience souhaitée : 1 à 4 années
BAP : C - Sciences de l'Ingénieur et instrumentation scientifique
Emploi type : Experte ou expert en developpement d'instrument

Missions

Assurer la modélisation, la conception, le développement, la mise en exploitation et l'évolution de dispositifs expérimentaux basés sur la technologie silicium. Assurer l'intégration de ces dispositifs dans des ensembles expérimentaux électroniques, mécanique, thermiques (notamment cryogéniques), complexes pour la cosmologie ou la détection de particules.

Activités

- Modélisation et conception de capteurs basés sur la technologie silicium.
- Caractérisation expérimentale de capteurs silicium avec l'intégration de l'environnement électronique.
- Étudier les besoins scientifiques, proposer les techniques et méthodes de mesure, de caractérisation ou d'observations adaptées
- Analyser les contraintes et concevoir ou faire évoluer la chaîne d'expérimentation et de mesure
- Organiser le suivi de la réalisation, valider et qualifier le dispositif ou la méthode à ses différentes étapes
- Piloter la réalisation des mesures, les interpréter et les valider
- Former et informer sur les principes et la mise en œuvre des dispositifs expérimentaux et assurer la sécurité de fonctionnement
- Présenter, diffuser et valoriser les réalisations dans le cadre de collaborations internationales

Compétences

- Connaissances approfondies en méthodes de caractérisation des différents capteurs silicium
- Connaissances approfondies en méthodologies de modélisation des différentes technologies et dispositifs basés sur le silicium.
- Rédiger les cahiers des charges techniques
- Concevoir, développer, mettre en exploitation et en sécurité des expériences et des bancs de mesures conjuguant un ensemble d’éléments de différents domaines technologiques tels que : laser, optique, spectroscopie, cavité sous vide, contrôle/commande informatique.
- Piloter la réalisation de mesures, les interpréter et les valider
- Utiliser de logiciels spécifiques : Silvaco, Comsol,

Contexte de travail

Les services techniques du LPNHE apportent des contributions instrumentales aux expériences menées par les chercheurs du laboratoire, et assurent le fonctionnement d’une plateforme de test et de caractérisation des capteurs silicium.
La plateforme CLAP offre un environnement de choix pour la caractérisation des capteurs silicium dans des environnements contrôlés. Au-delà de la caractérisation, le LPNHE ambitionne de développer le savoir-faire en modélisation de la technologie silicium de manière transversale pour les applications en cosmologie et en physique des détecteurs.
A terme, l'objectif est de maitriser aussi bien la modélisation que la caractérisation de ces dispositifs de manière itérative, pour en optimiser leur fonctionnement.

Dans ce contexte, le LPNHE envisage donc de développer de nouvelles compétences pour la modélisation du silicium en lien avec la conception des capteurs CCDs, et maitriser la chaine itérative modélisation / caractérisation en lien avec l'environnement électronique, mécanique et thermique (cryogénique) du détecteur.
Ces compétences sont transversales pour les applications en cosmologie, et des futurs détecteurs pour les futurs grands collisionneurs.

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