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Post-doctorant en micro-électronique ou en physique des matériaux (h/f)

Villeurbanne
CNRS
Publiée le 31 mai
Description de l'offre

Vos missions en quelques mots Missions : Sujet : Caractérisations physiques et électrique de composants GaN verticaux ou pseudo-verticaux La transition énergétique nécessitera des dispositifs électriques de puissance capables de gérer des tensions et des courants élevés. Bien que le marché actuel des convertisseurs électroniques soit dominé par la technologie à base de silicium, ces dispositifs électroniques présentent des pertes intrinsèques élevées en raison des propriétés physiques limitées du silicium. Grâce à leurs propriétés physiques, les semi-conducteurs à large bande interdite (WBG) tels que le nitrure de gallium (GaN) sont particulièrement intéressants pour l'électronique de puissance. Le GaN possède un champ électrique critique important (jusqu'à 3,3MV/cm), une large bande interdite (3,4eV), et donc la capacité de fonctionner à une tension plus élevée. L'objectif de ce travail de post-doctorat est de comprendre les liens entre la qualité des matériaux et les performances électriques des dispositifs de GaN verticaux et semi-verticaux. Pour cela des caractérisations physiques (spectroscopie micro-Raman, la photoluminescence et la cathodo-luminescence) et électriques avancées (DLTS, OBIC…) seront couplées. En particulier, nous voulons clarifier : - Quel est l’impact du substrat (GaN, silicium saphir…) sur les couches épitaxiées ? - Quels défauts du substrat et des couches épitaxiées sont critiques pour les performances électriques du composant ? Activités : - Recherche et développement. - Participation à des conférences. - Rédaction d'articles. - Encadrement de stagiaires et doctorant. Contexte de travail : Le travail de post-doctorat sera réalisé au laboratoire Ampère (site INSA de Lyon), dans le cadre du projet PEPR Vertigo (financement France 2030). Profil recherché Competences : Le candidat devra être titulaire d’un doctorat en micro-électronique ou en physique des matériaux • Si possible avoir une expérience en caractérisation physique ou électrique de matériaux grand gap Contraintes et risques : Risques électriques (habilitation électrique à prévoir),risques chimiques (formation spécifique au risque chimique, fiche d’exposition individuelle)) et risque laser (fiche d’exposition individuelle). Niveau d'études minimum requis Niveau Niveau 8 Doctorat/diplômes équivalents Spécialisation Formations générales Langues Français Seuil

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